UE真空開(kāi)關(guān)型號(hào)大全H100-530 

UE 真空開(kāi)關(guān)往往被安裝在智能化儀表內(nèi)部，具有操作簡(jiǎn)單安裝方便以及精度高和功能強(qiáng)等等方面的特點(diǎn)，除此之外，這類(lèi)開(kāi)關(guān)采用的是壓力傳感器的原理，內(nèi)部放置了高精度的傳感器，通過(guò)精巧的工藝設(shè)計(jì)而成，所以具有反向控制延時(shí)保護(hù)以及密碼保護(hù)等等豐富的功能。氣體壓強(qiáng)低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)，也就是說(shuō)，UE 真空開(kāi)關(guān)同正常的大氣壓相比，是較為稀薄的一種氣體狀態(tài)。真空中放置一對(duì)電極，加上高壓時(shí)，在一定的電壓下也會(huì)產(chǎn)生電極之間的電擊穿。它的擊穿與空氣中的電擊穿有很大不同。空氣中的擊穿是由于氣體中的少量自由電子在電場(chǎng)作用下高速度運(yùn)動(dòng)，與氣體分子碰撞產(chǎn)生較多的電子和離子，UE 真空開(kāi)關(guān)新生的電子和離子又同中性原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子和離子。

UE真空開(kāi)關(guān)型號(hào)大全H100-530    UE真空開(kāi)關(guān)在電極間形成了放電通道，產(chǎn)生了電弧。而真空中，由于壓強(qiáng)較低，氣體分子極少，在這樣的環(huán)境中，即使電極間隙中存在著電子，它們從一個(gè)電極飛向另一個(gè)電極時(shí)，也很少有機(jī)會(huì)與氣體分子碰撞。因而不可能有電子和氣體分子碰撞造成雪崩式的電擊穿。正是因?yàn)闅怏w分子十分稀少，UE 真空開(kāi)關(guān)真空間隙電擊穿需要在非常高的電壓下出現(xiàn)場(chǎng)致發(fā)射等其它現(xiàn)象時(shí)才有可能形成。從理論上推測(cè)，電場(chǎng)強(qiáng)度需達(dá)到108V/cm以上時(shí)才會(huì)造成電擊穿，實(shí)際上真空間隙的絕緣強(qiáng)度由于一系列不利因素例如電極表面粗糙度、潔凈度等的影響，將低于理論計(jì)算值幾個(gè)數(shù)量級(jí)。UE 真空開(kāi)關(guān)無(wú)論真空滅弧室的電極表面在制造中加工得如何，大電流開(kāi)斷均會(huì)使電極表面變得凸凹不平，這也將使得擊穿電壓降低。

   UE真空開(kāi)關(guān)電極的幾何形狀對(duì)電場(chǎng)的分布有很大的影響，往往由于幾何形狀不夠恰當(dāng)，引起電場(chǎng)在局部過(guò)于集中而導(dǎo)致?lián)舸@一點(diǎn)在高電壓的真空產(chǎn)品中尤其突出。電極邊緣的曲率半徑大小是重要因素。一般來(lái)說(shuō)，曲率半徑大的電極承受擊穿電壓的能力比曲率半徑小的大。此外，擊穿電壓還和電極面積的大小成反比，UE 真空開(kāi)關(guān)即隨著電極面積的增大而有所降低。面積增大導(dǎo)致耐壓降低的原因主要是放電概率增加。真空的擊穿電壓與間隙距離有著比較明確的關(guān)系。試驗(yàn)表明，當(dāng)間隙距離較小時(shí)(≤5mm)，擊穿電壓隨著間隙距離的增加而線(xiàn)性增長(zhǎng)，但隨著間隙距離的進(jìn)一步增加，UE 真空開(kāi)關(guān)擊穿電壓的增長(zhǎng)減緩，即真空間隙發(fā)生擊穿的電場(chǎng)強(qiáng)度隨著間隙距離的增加而減小。當(dāng)間隙達(dá)到一定的長(zhǎng)度后(≥20mm)，UE 真空開(kāi)關(guān)單靠增加間隙距離提高耐壓水平已經(jīng)十分困難，這時(shí)采用多斷口反而比單斷口有利。

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