介電常數(shù)介質損耗測試儀用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。

 滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質損耗因數(shù)的*方法

  主要技術特性  

電感測量范圍       4.5nH ～ 140mH  
電容直接測量范圍       1 ～ 200pF  
主電容調(diào)節(jié)范圍        18 ～ 220pF  
主電容調(diào)節(jié)準確度    100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％  
信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz  
頻率分段 （ 虛擬 ） 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz  
Q 值測量范圍   2 ～ 1023 ，

 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔  
固有誤差     ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
工作誤差    ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字  

概述

BD916介質損耗測試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套，可用于測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質損耗系數(shù)（損耗角正切值）。
BD916介質損耗測試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品，它采用了數(shù)顯微測量裝置，因而讀數(shù)方便，數(shù)據(jù)精確。
測試裝置由一個LCD數(shù)字顯示微測量裝置和一對間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品，微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質損耗測試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器，通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化，測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。 

BD916介質損耗測試裝置技術特性 

平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選  
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm 
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 
4．測微桿分辨率：0.001mm

本儀器測試儀方法如下： 

儀器的測試準備工作
先要詳細了解配用Q表的使用方法，操作時，要避免人體感應的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
 

b. 把本測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端子上。
 

c. 配上和測試頻率相適應的高Q值電感線圈（本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求），           如：1MHz 時電感取250uH，15MHz時電感取1.5uH。
 

d. 短按ON/OFF按鍵，打開液晶顯示屏。
 

e. 調(diào)節(jié)平板電容器測微桿，使平板電容器二極片相接為止，長按SET按鍵將初始值設置為0。

4．介電常數(shù)Σ的測試

a. 再松開二極片，把被測樣品插入二極片之間，調(diào)節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調(diào)節(jié)時要用測微桿，以免夾得過緊或過松），這時能讀取的測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表處于諧振點上。

b. 取出平板電容器中的樣品，這時Q 表又失諧，此時調(diào)節(jié)平板電容器，使Q 表再回到諧振點上，讀取測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4

c. 計算被測樣品的介電常數(shù)：
                         Σ＝D2 / D4

5．介質損耗系數(shù)的測試

a. 重新把測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端上。把被測樣品插入二極片之間，改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表處于諧振點上，讀得Q 值，記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。

b. 取出平板電容器中的樣品，這時Q 表又失諧，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表重新處于諧振點上。讀得Q 值，記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。

c. 然后取下測試裝置，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量，重新使之諧振，電容讀數(shù)記為C3，此時可計算得到測試裝置的電容為CZ = C3 －C1

d. 計算被測樣品的介質損耗系數(shù)公式如下：



式中：CZ 為測試裝置的電容（平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2）C0 為測試電感的分布電容（參考LKI-1 電感組的分布電容值）