頻率范圍：20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

^{GDAT-C介電常數(shù)測量儀}

^{滿足標準：GBT 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在}內(nèi)）下電容率和介質損耗因數(shù)的*方法高頻介質損耗測試系統(tǒng)由S916測試裝置（夾具）、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入GDAT）、及LKI-1型電感器組成，它依據(jù)國標GB/T 1409-2006、美標ASTM D150以及電工委員會IEC60250的規(guī)定設計制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）自動測量的*解決方案。

^{1、《BH916介質損耗裝置》（測試夾具）是測試系統(tǒng)的核心檢測部件，它由一個LCD數(shù)字顯示的微測量裝置和一對經(jīng)精密加工的、間距可調的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測材料樣品，微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化的量化，測得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質損耗測試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品，精密的加工設計、精確的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能，克服了機械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測量誤差。}

^{2、基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調電容器的創(chuàng)新設計代表了行業(yè)的zui高成就，隨之帶來了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*的人機界面，采用LCD液晶屏顯示各測量因子：Q值、電感L、主調電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，頻率精度高達1×10-6。國標GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來測定電工材料高頻介質損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε），把被測材料作為平板電容的介質，與輔助電感等構成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測試回路，以獲取zui高的測試靈敏度。因而Q表法的測試結果更真實地反映了介質在高頻工作狀態(tài)下的特征。GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡便。操作者能在任意點頻率或電容值的條件下檢測
Q值甚至tanδ，無須關注量程和換算，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況，它無疑是電工材料高頻介質損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）測量的理想工具。}
 

^{3、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入GDAT），實現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計算的微處理化，tanδ 測量結果的獲得無須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測量的同一性，是人工讀值和人工計算*的。}

^{4、一個高品質因數(shù)（Q）的電感器是測量系統(tǒng)*的輔助工具，關乎測試的靈敏度和精度，在系統(tǒng)中它與平板電容（BH916）構成了基于串聯(lián)諧振的測試回路。本系統(tǒng)*的電感器為LKI-1電感組共由9個高性能電感器組成，以適配不同的檢測頻率。}

^{介電常數(shù)介質損耗（介質損耗角）測試儀 
 
型號：GDAT-C}

^{一.主要特點：
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品（ 小于 10 mil） 量測值偏低,。} 

^{二.主要技術特性：
介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數(shù)值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。}

^{三.儀器技術指標：
☆Q值測量：
a．Q值測量范圍：2～1023。              b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c．標稱誤差
      頻率范圍：20kHz～10MHz；       固有誤差：≤5％±滿度值的2％；工作誤差：≤7％±滿度值的2％；
      頻率范圍：10MHz～60MHz；      固有誤差：≤6％±滿度值的2％；工作誤差：≤8％±滿度值的2％。
☆電感測量：
a．測量范圍：14.5nH~8.14H。
b．分    檔：分七個量程。
      0.1～1μH，    1～10μH，    10～100μH，  
      0.1～lmH，     1～10mH，     10～100mH，   100 mH～1H。
☆電容測量：
a．測量范圍：1～460pF（460pF以上的電容測量見使用規(guī)則）；
b．電容量調節(jié)范圍
      主調電容器：30～500pF；                準  確  度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；
      注：大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則
☆振蕩頻率：
a．振蕩頻率范圍：10kHz～50MHz；
b．頻率分段（虛擬）
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz
c．頻率誤差：3×10-5±1個字。
☆Q合格指示預置功能，預置范圍：5～1000。
☆儀器正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；            b．相對濕度：<80％；           c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。   
☆其他
a．消耗功率：約25W；            b．凈重：約7kg；          c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
☆ Q合格指示預置功能
預置范圍：5～1000。}

^{四、主要配置：
a.測試主機一臺；
b.電感9只；
c.夾具一 套
附表 電感組典型測試數(shù)據(jù)}

^{五.儀器特點：
☆接線簡單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測量電壓緩}

^{升、緩降，全自動測量，結果直讀，無須換算。
☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標準電容器和內(nèi)/外試驗電壓進行測量。正接線可測量高壓介損。
☆ 抗震性能 儀器可承受長途運輸中強烈震動顛簸而不會損壞。
☆ 抗*力強 采用自動跟蹤干擾抵償電路，將矢量運算法與移相法結合，有效地消除強電場干擾對測量的影響，適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場試驗。}

^{☆CVT測量 *自激法測量CVT功能，不需外加任何設備，可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線（三根電纜，不用倒線），一個測量過程（大約1分鐘），兩個zui終測量結果（C1和C2的介損及電容值）。測量過程中文顯示，能實時監(jiān)測自激電流值和試驗電壓（高壓）值。能消除引線對測試的影響，測量結果準確可靠。}

^{☆ 安全措施
（1）高壓保護：試品短路、擊穿或高壓電流波動，能迅速切斷高壓輸出。
（2）CVT保護：設定自激電壓的過流點，一旦超出設置的電流值，儀器自動退出測量，不會損壞設備。
（3）接地檢測：儀器有接地檢測功能，未接地時不能升壓測量。
（4）防誤操作：具備防誤操作設計，能判別常見接線錯誤，安全報警。
（5）防“容升”：測量大容量試品時會出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應，儀器能自動跟蹤輸出電壓，保持試驗電壓恒定。}

^{☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點陣顯示器，在嚴冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單，操作提示各種警告信息，直觀明了，不需查閱說明書即可操作。}

^{☆打印 儀器附有微型打印機，以中文方式打印輸出測量結果及狀態(tài)。
☆RS232 儀器具有RS232接口，與計算機連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計和處理及保存。
☆可選購與計算機通信應用程序。}

^{介電常數(shù)GDAT-A介紹：}

^{一、 概述}

^{介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數(shù)值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。}

^{二、儀器的技術指標}

  ^{1．Q值測量}

   ^{a．Q值測量范圍：2～1023。}

   ^{b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。}

 ^{c．標稱誤差}

^{2．電感測量范圍：14.5nH~8.14H}

^{3．電容測量：1~ 460}

   ^{注：大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則}

 ^{4．信號源頻率覆蓋范圍}

^{5．Q合格指示預置功能}

^{預置范圍：5～1000。}

 ^{6．Q表正常工作條件}

 ^{a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃}

^{b．相對濕度：<80％；} 

^{c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。}

^7．其他

  ^{a．消耗功率：約25W；}  

^{b．凈重：約7kg；}  

^{c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。}

^{8．產(chǎn)品配置：}

^{a.測試主機一臺；}

^{b.電感9只；}

^{c.夾具一 套} 

^{附表    電感組典型測試數(shù)據(jù)}

^{工頻介電常數(shù)介質損耗測試儀}

^{型號：BDAT-B}

^{一、主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。}

^{二、主要可以測量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗（ tg）和電容量（ Cx）以，其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。
由于電橋內(nèi)附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器，并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結合在一起，所以本電橋特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tg）及介電常數(shù)（ε）。
 橋體本身帶有5Kv/100pF標準電容,測量材料介損更為方便。
橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
 橋體采用了多樣化的介損測量線路。}

^{三、技術指標
測量范圍及誤差
    在Cn＝100pF    R4＝3183.2（?）（即10K/π）時}

   ^{測量項目       測量范圍             測量誤差               
  電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     
 介質損耗tg?      0～1              ±1.5％tg?x±0.0001}

  ^{在Cn＝100pF      R4＝318.3（?）（即1K/π）時}

   ^{測量項目       測量范圍             測量誤差               
  電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     
 介質損耗tg?      0～0.1          ±1.5％tg?x±0.0001
Ｃｘ＝Ｒ４×Ｃｎ／Ｒ３
tg?＝ω?Ｒ４?Ｃ４
電容量及介損顯示精度：
    電容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。
    介  損： ±0.5％tg?x±1×10-4
高壓電源技術特性
電壓輸出：0～5000V/50Hz
高壓電流輸出：0～10mA
內(nèi)置標準電容器
      電容量為100pF
tg小于5X10-5}

^{QS37 型高壓電橋
1.概
述
QS37 型西林電橋,主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質損失角的正切值及電容量。
其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。主要可以測量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種
固體絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗（tg） 和電容量（ Cx）以，其測量線路采用“正接法”
即測量對地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、電位跟蹤器組成，本電橋特別適應測量各類
絕緣油和絕緣材料的介損（）及介電常數(shù)（ε）。
2.技術指標
2.1 測量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為 20±5℃，相對濕度為 30％－80％條件下，應滿足
下列表中的技術指示要求。
在 Cn＝100pFR4＝3183.2（）（即 10K/π）時}

^{在 Cn＝100pF  R4＝318.3（）（即 1K/π）時}

^{2.2 電容量及介損顯示精度：
電容量： ±0.5%
-4介 損： ±1.5％tg  x士1 乘以10}