介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器,測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
主要技術(shù)特性
Q 值測(cè)量范圍 2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差 ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)
工作誤差 ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)
電感測(cè)量范圍 4.5nH ~ 140mH
電容直接測(cè)量范圍 1 ~ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ~ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %
信號(hào)源頻率覆蓋范圍 100kHz ~ 160MHz
頻率分段 ( 虛擬 ) 100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字
搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)(損耗角正切值)。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置,因而讀數(shù)方便,數(shù)據(jù)精確。
測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品,微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器,通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化,測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性
平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍:≥15mm
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz)
4.測(cè)微桿分辨率:0.001mm
電感:
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀使用說(shuō)明
測(cè)試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法,操作時(shí),要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
b. 把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
c. 配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈(本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求),如:1MHz 時(shí)電感取250uH,15MHz時(shí)電感取1.5uH。
d. 短按ON/OFF按鍵,打開(kāi)液晶顯示屏。
e. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿,使平板電容器二極片相接為止,長(zhǎng)按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。
4.介電常數(shù)Σ的測(cè)試
a. 再松開(kāi)二極片,把被測(cè)樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿,以免夾得過(guò)緊或過(guò)松),這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值,既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)上。
b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器,
使Q 表再回到諧振點(diǎn)上,讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4
c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù):
Σ=D2 / D4
5.介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試
a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。
把被測(cè)樣品插入二極片之間,改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)
上,讀得Q 值,記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。
b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,再改變Q 表上的主調(diào)電容
容量,使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值,記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。
c. 然后取下測(cè)試裝置,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,重新使之諧振,電
容讀數(shù)記為C3,此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 -C1
d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)
?
? ?
式中:CZ 為測(cè)試裝置的電容(平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2)
C0 為測(cè)試電感的分布電容(參考LKI-1 電感組的分布電容值)