數(shù)字式四探針測(cè)試儀
型號(hào)：SZT-2000
儀器資料：
SZT-2000型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是根據(jù)四探針測(cè)
試原理研究成功的多用途的綜合測(cè)量裝置，它可以
測(cè)量棒狀、塊狀半導(dǎo)體材料的電阻率和半導(dǎo)體擴(kuò)散
層的薄層電阻進(jìn)行測(cè)量，可以從10-6--105Ω—cm全
量程范圍檢測(cè)硅的片狀、棒狀材料的電阻、薄層電
阻，是硅材料質(zhì)量監(jiān)測(cè)的必需儀器。
儀器為臺(tái)式結(jié)構(gòu)，分為電氣箱、測(cè)試架兩大部分，
用戶可以根據(jù)測(cè)試需要安放在一般工作臺(tái)或者
工作臺(tái)上，測(cè)試架由探頭及壓力傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、樣品架
組成，耐磨和使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。探頭內(nèi)設(shè)有彈簧
壓力裝置，壓力從0—2Kg連續(xù)可調(diào)，測(cè)試架設(shè)有手
動(dòng)和電動(dòng)兩種裝置供用戶選購(gòu)。
儀器電氣箱主要由高靈敏的直流數(shù)字電壓表和高穩(wěn)
定的恒流源組成，測(cè)量結(jié)果由數(shù)字直接顯示，儀器
有自校量程，可以方便地對(duì)儀器的電氣性能進(jìn)行校
驗(yàn)。
儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、測(cè)量
范圍廣、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)，儀器適用于
半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科學(xué)研究部門、高等院
校，對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試及工藝檢測(cè)。
儀器主要技術(shù)指標(biāo)：
1．范圍：電阻率10-4—103Ω—cm，可擴(kuò)展至105
Ω—cm，分辯率為10-6Ω—cm
方塊電阻10-3—103Ω/□
電阻10-6—105Ω
2．可測(cè)半導(dǎo)體尺寸：直徑Φ15—150mm
3．測(cè)量方式：軸向、斷面均可（手動(dòng)測(cè)試架）
4．?dāng)?shù)字電壓表（1）量程0.2mV、2mV、20mV、
200mV、2V
（2）測(cè)量*.2mV檔±（0.3%讀數(shù)+8字）
2mV檔以上±（0.3%讀數(shù)+2字）
（3）輸入阻抗0.2mV、2mV擋105Ω
20mV檔以上>108Ω
（4）顯示31/2位數(shù)字顯示，0—1999
具有極性和過載自動(dòng)顯示，小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示
5．恒流源：（1）電流輸出：直流電流0—100mA
連續(xù)可調(diào)，由交流電源供給
（2）量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
五檔
（3）電流誤差：±（0.3%讀數(shù)+2字）
6．四探針測(cè)試探頭（1）探頭間距：1mm（2）
探針機(jī)械游率：±0.3%
（3）探針：Φ0.5mm（4）壓
力：可調(diào)
7.測(cè)試架：
（1）手動(dòng)測(cè)試架：探頭上升及下降由手動(dòng)操
作，可以用作軸向和斷面的單晶棒和硅片測(cè)試。
（2）電動(dòng)測(cè)試架：探頭的上升和下降由電動(dòng)操
作，設(shè)有自動(dòng)控制器控制，探頭上升時(shí)間1S—99S
可調(diào)，探頭下降時(shí)間1S—99S可調(diào)，壓力恒定可調(diào)
（由砝碼來(lái)設(shè)定）同時(shí)設(shè)有腳踏控制裝置由腳踏開
關(guān)控制探頭上下運(yùn)動(dòng)。
8.電流：220V±10%50HZ或60HZ：功率消耗
<35W
9．外形尺寸：電氣箱130×110×400mm
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