主要技術(shù)參數(shù)/指標(biāo)
過電壓 | Umax | 1.1Un至8小時(shí),1.15 Un至30分鐘 ,1.3 Un至1分鐘 |
過電流 | Imax | 1.3* IN (某些情況下可高 些) |
浪涌電流 | IS | 200倍額定電流 |
介電質(zhì)損耗 | | ≤0.25W/kvar |
電容容差 | | -5%/+10%Cn(uf) |
測(cè)試電壓端對(duì)端 | UTT | 2.15 UN ,10S |
測(cè)試電壓端對(duì)殼 | UTC | 高達(dá)UN =≤660V:3000 VAC ,10S;超過UN =660V:6000V,10S |
容許濕度 | Hrel | 90% |
容許高度 | | ≤2000m |
環(huán)境溫度 | LCT/UCT | -25℃/D,55環(huán)境下運(yùn)行,在限定的冷卻條件下也可允許較高環(huán)境溫度. |
安全特 | | 自愈性技術(shù),過壓拉斷保護(hù)裝置 |
放電電阻 | | 內(nèi)置放電電阻(1分鐘降至50V) |
電壓范圍 | V | 100-1000V, 50/60Hz, |
額定容量 | kvar | 1 to 60Kvar |
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