半價優(yōu)惠 單晶少子壽命測試儀新款
型號:LDX-GZ-LT-2
LDX-GZ-LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導體材料的少數(shù)載流子壽命測量,是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。 |
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本儀器根據(jù)通用方法高頻光電導衰退法的原理設計,由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。 |
技 術 指 標 : |
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測試單晶電阻率范圍 | >2Ω.cm | 可測單晶少子壽命范圍 | 5μS~7000μS | 配備光源類型 | 波長:1.09μm;余輝<1 μS; 閃光頻率為:20~30次/秒; 閃光頻率為:20~30次/秒; | 高頻振蕩源 | 用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz | 前置放大器 | 放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz | 儀器測量重復誤差 | <±20% | 測量方式 | 采用對標準曲線讀數(shù)方式 | 儀器消耗功率 | <25W | 儀器工作條件 | 溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz | 可測單晶尺寸 | 斷面豎測:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm; 縱向臥測:φ25mm—150mm; L 50mm—800mm; | 配用示波器 | 頻寬0—20MHz; 電壓靈敏:10mV/cm; | |
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