ZDW在800 nm-1100 nm(TBD)范圍內(nèi)的色散優(yōu)化
低損耗
長(zhǎng)度可達(dá)1000 m
純或鍺摻雜的二氧化硅核
從UV到NIR的空間單模
高度非線性
連接器(FC,ST,SC)和管道
核芯直徑 | 包層直徑 | 涂層直徑 | 模式場(chǎng)直徑 (在1060 nm下測(cè)量) |
4.75 µm | 125 µm | 240 µm | 4.5 µm |
+/- 0.1 µm | +/- 5 µm | +/- 10 µm | +/- 0.1 µm |
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