產(chǎn)品介紹
每個檢測器具有100mm2的有源面積和用于在12nm和18nm之間進行檢測的直接沉積的薄膜濾波器。兩種探測器在13.5nm處都具有0.09A/W的典型響應(yīng)度，并且針對不同的電性能進行了優(yōu)化。光電二極管非常適合用于激光功率監(jiān)測、半導(dǎo)體光刻和利用極紫外光的計量系統(tǒng)等應(yīng)用。SXUV100TF135針對更高速的反向偏置電壓操作進行了優(yōu)化。該器件具有低電容，通常為260pF，反向偏置電壓為12伏。
性能特點
- 單個有效區(qū)域
- 檢測到1 nm
- 暴露于EUV/UV條件后的穩(wěn)定響應(yīng)
- 保護蓋板
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)地：法國
擊穿電壓：25 V
配置：單個
模塊：否
包裝：陶瓷
包裝類型：陶瓷
光電探測器類型：PN
操作模式：光電導(dǎo)
波長范圍：18至80 nm
響應(yīng)時間：20 ns
反向電壓：25 V
光譜帶：紫外線
電容：220至350 pF
暗電流：8至25 nA
響應(yīng)性/感光度：0.08至0.1 A/W@13.5 nm
有效面積：100 mm2（10 mm x 10 mm）
工作溫度：-10至40℃
儲存溫度：-10至40℃
產(chǎn)品應(yīng)用
激光功率監(jiān)測
半導(dǎo)體光刻
計量系統(tǒng)
產(chǎn)品參數(shù)
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