北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司

介電常數(shù)試驗(yàn)機(jī)

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產(chǎn)品型號(hào)GDAT-A

品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地北京市

更新時(shí)間:2022-05-01 17:30:02瀏覽次數(shù):9次

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介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:
按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。
例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250µH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1µH電感器等。

高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。
該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。

介電常數(shù)測(cè)試儀由高頻阻抗分析儀、測(cè)試裝置,標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(Dtanδ) 的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。 介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是20kHz60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (Dtanδ)變化的測(cè)試。 系列中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D(損耗)變化和Cp(電容值)讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

 

特點(diǎn):

 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF6D值顯示,保證了εD值精度和重復(fù)性。

 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1105

 

2 主要技術(shù)指標(biāo):

2.1 ε和D性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz1MHzεD變化的測(cè)試。

2.1.2 εD測(cè)量范圍:ε:1~105,D0.10.00005

2.1.3 εD測(cè)量精度(10kHz):ε±2% ,  D±5%±0.0001。

 

2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋

  

工作頻率范圍

20kHz~60MHz

數(shù)字合成,精度:±0.02%

電容測(cè)量范圍

0.00001pF~9.99999F

六位數(shù)顯

電容測(cè)量基本誤差

±0.05%

損耗因素D值范圍

0.00001~9.99999

六位數(shù)顯


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

儀器滿足標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法。適用于測(cè)定熱塑性、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)。

 

GDAT的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)Q值甚至tanδ,無(wú)須關(guān)注量程和換算,*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴(lài)面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具。

 

 

介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)

BH916測(cè)試裝置:                                   

平板電容極片 Φ50mm                                 

間距可調(diào)范圍≥15mm                                

夾具插頭間距25mm±0.01mm                         

測(cè)微桿分辨率0.001mm                               

夾具損耗角正切值≦4×10-4 1MHz)                   

   

 

GDAT高頻Q表:

可選頻率范圍20KHz-60MHz

頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字

主電容調(diào)節(jié)范圍30-500

主調(diào)電容誤差<1%1pF

 Q測(cè)試范圍21023

 

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:

按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。

例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。

 

高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。

該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

 

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn): 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

 

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

同樣,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

 

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

 

 

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置:

2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

 

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