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介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測(cè)試儀

參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)GDAT-C

品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地北京市

更新時(shí)間:2022-05-01 17:40:02瀏覽次數(shù):8次

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介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法


介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法


一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器,測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性 

平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選  
極片間距可調(diào)范圍:≥15mm 
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 
4.測(cè)微桿分辨率:0.001mm
 
電感:
線(xiàn)圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

 
  主要技術(shù)特性  
Q 值測(cè)量范圍  2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  
固有誤差  ≤ 5 % ± 滿(mǎn)度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿(mǎn)度值的2%(10MHz~160MHz)  
工作誤差  ≤7% ± 滿(mǎn)度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿(mǎn)度值的2%(10MHz~160MHz)  
電感測(cè)量范圍  4.5nH ~ 140mH  
電容直接測(cè)量范圍  1 ~ 200pF  
主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ~ 220pF  
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %  
信號(hào)源頻率覆蓋范圍  100kHz ~ 160MHz  
頻率分段 ( 虛擬 )  100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用


一 . 概述

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)(損耗角正切值)。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置,因而讀數(shù)方便,數(shù)據(jù)精確。
測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品,微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器,通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化,測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。 


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