介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀:GDAT-A
滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
GDAT-A
的技術(shù)指標(biāo)
1.Q值測(cè)量
Q值測(cè)量范圍:2~1023。
Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
項(xiàng) 目 GDAT-A
頻率范圍 20kHz~10MHz;
固有誤差 ≤5%±滿度值的2%;
工作誤差 ≤7%±滿度值的2%;
頻率范圍 10MHz~60MHz;
固有誤差 ≤6%±滿度值的2%;
工作誤差 ≤8%±滿度值的2%。
2.電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H
3.電容測(cè)量:1~ 460
項(xiàng) 目 GDAT-A
直接測(cè)量范圍; 1~460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍
準(zhǔn)確度;30~500pF;150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%
注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則
4.信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng) 目 GDAT-A
頻率 范圍 10kHz~50MHz
頻率分段
(虛擬)10~99.9999kHz;100~999.999kHz;1~9.99999MHz;10~60MHz
概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀使用方法:
測(cè)試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法,操作時(shí),要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
b. 把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
c. 配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈(本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求), 如:1MHz 時(shí)電感取250uH,15MHz時(shí)電感取1.5uH。
d. 短按ON/OFF按鍵,打開液晶顯示屏。
e. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿,使平板電容器二極片相接為止,長(zhǎng)按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。
4.介電常數(shù)Σ的測(cè)試
a. 再松開二極片,把被測(cè)樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿,以免夾得過緊或過松),這時(shí)能讀取的
北京市海淀區(qū)建材城西路50號(hào) :
測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值,既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容
量,使Q 表處于諧振點(diǎn)上。
b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器,
使Q 表再回到諧振點(diǎn)上,讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4
c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù):
Σ=D2 / D4
5.介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試
a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。
把被測(cè)樣品插入二極片之間,改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)
上,讀得Q 值,記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。
b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,再改變Q 表上的主調(diào)電容
容量,使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值,記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。
c. 然后取下測(cè)試裝置,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,重新使之諧振,電
容讀數(shù)記為C3,此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 -C1
d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)
?
式中:CZ 為測(cè)試裝置的電容(平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2)
C0 為測(cè)試電感的分布電容(參考LKI-1 電感組的分布電容值)