BDD-I半導電層電阻試驗裝置
BDD-I半導電層電阻試驗裝置詳細介紹如下:
BDD-I半導電層電阻試驗裝置適用范圍：
BDD型半導電層電阻測試成套裝置適用于GB/T11017.1-2002，附錄B、GB/T12706.2-2002和GB/T3048.3-2007《電線電纜電性能試驗方法第三部分 半導電橡塑材料體積電阻率試驗方法》標準。能對3.5萬伏、11萬伏、22萬伏等各種高壓交聯(lián)電纜的導體半導電屏蔽層和絕緣半導電屏蔽層的電阻進行測量，從而得出半導電屏蔽層電阻率。增加相應附件，能完成GB3048.3《電線電纜電性能試驗方法·第3部分·半導電橡塑材料體積電阻率試驗》標準中半導電材料的電阻率的測試。
BDD-I半導電層電阻試驗裝置的組成和主要參數(shù)：
為能準確的完成GB110717—2002附錄A和GB/T3048—2007標準中提出的試驗步驟。本成套裝置由三臺設施組成。
2.1 BDD型半導電層試樣制備機：為取得半圓型交聯(lián)電纜試樣而設計，根據(jù)試樣外徑大小分為二個型號
| 試樣線芯直徑mm | 試樣外徑范圍mm | |
| BDD—I型電纜試樣制備機 | Ф6—Ф30 | Ф15—Ф55 |
| BDD—II型電纜試樣制備機 | Ф8—Ф40 | Ф18—Ф130 |
2.2 BDD型半導電層電阻測試儀，為測試導體屏蔽層和絕緣屏蔽層電阻而設計：
·測試功率： 不超過100MW
·電源對地絕緣電阻： 不小于1012Ω
·電壓表輸入端對地絕緣電阻： 不小于1012Ω
·zui大測量電阻： 2×1MΩ
2.3 BDD型半導電層測試恒溫烘箱，為試樣在90℃恒溫條件下測試電阻而設計：
·有效容積： 450×450×450mm
·一次zui多試樣個數(shù)： 4個
·恒溫溫度： 90±1℃
2.4 用戶如果須完成GB3048.3即半導電橡塑材料體積電阻率試驗，須另行訂購半導電橡塑材料體積電阻率試驗儀，結合BDD型半導電層電阻測試儀，即可完成該項目的試驗。
BDD-I半導電層電阻試驗裝置
BDD-I半導電層電阻試驗裝置
詳細介紹如下:
適用范圍：
BDD型半導電層電阻測試成套裝置適用于GB/T11017.1-2002，附錄B、GB/T12706.2-2002和GB/T3048.3-2007《電線電纜電性能試驗方法第三部分 半導電橡塑材料體積電阻率試驗方法》標準。能對3.5萬伏、11萬伏、22萬伏等各種高壓交聯(lián)電纜的導體半導電屏蔽層和絕緣半導電屏蔽層的電阻進行測量，從而得出半導電屏蔽層電阻率。增加相應附件，能完成GB3048.3《電線電纜電性能試驗方法·第3部分·半導電橡塑材料體積電阻率試驗》標準中半導電材料的電阻率的測試。
的組成和主要參數(shù)：
為能準確的完成GB110717—2002附錄A和GB/T3048—2007標準中提出的試驗步驟。本成套裝置由三臺設施組成。
2.1 BDD型半導電層試樣制備機：為取得半圓型交聯(lián)電纜試樣而設計，根據(jù)試樣外徑大小分為二個型號
| 試樣線芯直徑mm | 試樣外徑范圍mm | |
| BDD—I型電纜試樣制備機 | Ф6—Ф30 | Ф15—Ф55 |
| BDD—II型電纜試樣制備機 | Ф8—Ф40 | Ф18—Ф130 |
2.2 BDD型半導電層電阻測試儀，為測試導體屏蔽層和絕緣屏蔽層電阻而設計：
·測試功率： 不超過100MW
·電源對地絕緣電阻： 不小于1012Ω
·電壓表輸入端對地絕緣電阻： 不小于1012Ω
·zui大測量電阻： 2×1MΩ
2.3 BDD型半導電層測試恒溫烘箱，為試樣在90℃恒溫條件下測試電阻而設計：
·有效容積： 450×450×450mm
·一次zui多試樣個數(shù)： 4個
·恒溫溫度： 90±1℃
2.4 用戶如果須完成GB3048.3即半導電橡塑材料體積電阻率試驗，須另行訂購半導電橡塑材料體積電阻率試驗儀，結合BDD型半導電層電阻測試儀，即可完成該項目的試驗。
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