OTF-1200X-S-HPCVD 1200℃坩堝可移動(dòng)型管式爐 返回列表頁(yè)

● 爐體設(shè)計(jì)為開啟式，以便于更換爐管
● 工作電源：208 - 240 VAC, 50/60Hz
● 功率為：2KW
● 工作溫度：1200℃（<1hr)
● 連續(xù)工作溫度：1100℃
● 加熱區(qū)長(zhǎng)度：200mm
● 爐管：高純石英管，尺寸50mm?O.D?x?44mm?I.D?x?450mm?L)

● 采用PID30段程序化控溫，其控溫精度為+/-1℃
● 設(shè)有過熱和斷偶保護(hù)
● 熱電偶采用K型熱電偶

● 采用KF結(jié)構(gòu)密封法蘭，硅膠密封圈密封
● 法蘭上安裝有一機(jī)械壓力表
● 右端法蘭與一個(gè)真空不銹鋼波紋管連接（不銹鋼波紋管伸縮幅度為150mm)
● 真空度：10-2Torr(用機(jī)械泵抽） 10-5Torr(用分子泵抽）

● 一個(gè)直徑為1/4＂的歐米伽鎧裝熱電偶（K型），通過法蘭伸入到爐管中，并可隨坩堝移動(dòng)，可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品的實(shí)際溫度。
● 通過步進(jìn)電機(jī)移動(dòng)爐管內(nèi)的坩堝（樣品臺(tái)），行程為100mm，移動(dòng)精度為1mm
● 通過觸摸屏設(shè)定坩堝一定的距離和目標(biāo)位置，坩堝移動(dòng)速度為180mm/min(更精確的移動(dòng)速度，可與本公司聯(lián)系定制，需額外收費(fèi)）
● 可觀察下圖，了解坩堝與熱電偶的安裝方法

可通過移動(dòng)樣品到已預(yù)加熱的爐體中來(lái)得到的加熱速率，也可將樣品迅速移除高溫的爐體，來(lái)得到的降溫速率

加熱速率: 降溫速率
10℃/sec (150℃ - 250℃); 10℃/sec (950℃ - 900℃);
7℃/sec (250℃ - 350℃); 7℃/sec (900℃ - 850℃);
4℃/sec (350℃ - 500℃); 4℃/sec (850℃ - 750℃);
3℃/sec (500℃ - 550℃); 2℃/sec (750℃ - 600℃);
2℃/sec (550℃ - 650℃); 1.5℃/sec (600℃ - 500℃);
1℃/sec (650℃ - 800℃); 1℃/sec (500℃ - 400℃);
0.5℃/sec (800℃ - 1000℃) 0.5℃/sec (400℃ - 300℃);

● 可選購(gòu)手動(dòng)擋板閥
● 防腐型數(shù)顯真空計(jì)
● 快速連接法蘭，以方便于放置樣品
● 多路質(zhì)量流量計(jì)控制的混氣系統(tǒng)，用于CVD和DVD實(shí)驗(yàn)

可選配石英氣體噴嘴，將反應(yīng)氣體與緩沖清洗氣體分開通入，可有效減少副反應(yīng)發(fā)生，實(shí)現(xiàn)CVD工藝，如局部控制前體濃度化學(xué)氣相沉積工藝（ALC CVD）或單晶二維材料薄膜的生長(zhǎng)工藝等。

● 此款設(shè)備可用于多種實(shí)驗(yàn)，以下列出了幾種實(shí)驗(yàn)方法
RTE（快速熱蒸發(fā)）：蒸發(fā)料放在坩堝中，放入到爐體中心，基片放在樣品臺(tái)上，樣品臺(tái)與熱電偶相連接，然后將樣品臺(tái)移動(dòng)到理想的位置（此位置溫度是實(shí)驗(yàn)所需要的溫度）
HPCVD（混合物理化學(xué)沉積）：與RTE相似，但需配混氣系統(tǒng)，對(duì)反應(yīng)氣體混合并控制流量，同時(shí)也需設(shè)定蒸發(fā)料的位置（確定蒸發(fā)料的蒸發(fā)溫度）

水平布里奇曼（Bridgman）法來(lái)長(zhǎng)晶體：將樣品和籽晶放入到坩堝中，并將坩堝放入到爐體中心位置，然后設(shè)定坩堝移動(dòng)速度，慢慢移動(dòng)坩堝。

所有電器元件（>24V）都通過UL?/?MET?/?CSA認(rèn)證/ CE認(rèn)證 ,若客戶出認(rèn)證費(fèi)用，本公司保證單臺(tái)設(shè)備通過德國(guó)TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證