IGBT焊接爐適用用于IGBT、SSR、晶閘管等的焊接工藝。IGBT真空焊接爐可應(yīng)用于IGBT模塊、MEMS封裝、大功率器件封裝、光電器件封裝、氣密性封裝等。IGBT焊接爐具有溫度均勻、控制穩(wěn)定、溫區(qū)間溫度擾動小、升溫速度快等特點，是理想的科研及工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備。
IGBT焊接爐主要技術(shù)指標
1、電爐外形：方箱式
2、額定溫度：800℃
3、真空室有效尺寸：常規(guī)500（W）*500（H）*500（L），可定制。
4、加熱板數(shù)量：上、中、下三層加熱板
5、控溫儀表：日本歐姆龍高精度控溫儀
6、溫度均勻性：300℃--800℃ ±2℃
7、單點溫度穩(wěn)定性：300℃--800℃ ±0.8℃/24h
8、升溫斜變能力：可控升溫速度：260℃/min
9、額定升溫功率：約12KW
10、保溫功率：約5KW
11、氣路系統(tǒng)：氮氣、氫氣、酸氣三路工藝氣體 ，采用浮子流量計
12、氣路管件：進口316L內(nèi)外壁拋光的不銹鋼管，長期使用不生銹
13、氣路系統(tǒng)氣密性：1×10-7 Pa·M3/S
14、真空系統(tǒng)：干泵
15、極限真空度：1 Pa
16、控制系統(tǒng)：歐姆龍高精度控制器+PLC+觸摸屏方式，自動控制整個工藝流程
17、保護：系統(tǒng)設(shè)有超溫保護、缺水保護、氫氣保護及真空系統(tǒng)互鎖保護
18、電源：三相五線380V、50Hz
19、觀察窗：設(shè)備正面設(shè)有圓形觀察窗。
IGBT模塊是一種用于電器設(shè)備中的半導(dǎo)體器件.因其使用的是復(fù)合全控型的電壓驅(qū)動式功率，所以兼具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降這兩個方面的優(yōu)點，因而能夠在眾多領(lǐng)域之中使用。
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。