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上海雋思實(shí)驗(yàn)儀器有限公司

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芯片HMDS預(yù)處理,可編程HMDS 真空烘箱

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類(lèi)別:烘箱
  • 所在地:上海
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-09-05 20:35:41
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  • 經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家
  • 商鋪產(chǎn)品:708條
  • 所在地區(qū):上海上海
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

芯片HMDS預(yù)處理,可編程HMDS通過(guò)對(duì)烘箱預(yù)處理過(guò)程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)的控制可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料預(yù)處理及相關(guān)行業(yè)。

詳情介紹

芯片HMDS預(yù)處理,可編程HMDS概述

芯片HMDS預(yù)處理,可編程HMDS通過(guò)對(duì)烘箱預(yù)處理過(guò)程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)的控制可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料預(yù)處理及相關(guān)行業(yè)。

芯片HMDS預(yù)處理,可編程HMDS特點(diǎn)

Ø  預(yù)處理性能更好由于是在經(jīng)過(guò)數(shù)次的氮?dú)庵脫Q,再進(jìn)行HMDS處理,所以不會(huì)有塵埃的干擾;再者,由于該系統(tǒng)是將"去水烘烤"和HMDS處理放在同一道工藝,同一個(gè)容器中進(jìn)行,晶片在箱內(nèi)先經(jīng)過(guò)100℃-200℃的去水烘烤,再進(jìn)行HMDS處理,不需要從箱內(nèi)傳出,而接觸到空氣,晶片吸收水分子的機(jī)會(huì)大大降低,所以有更好的處理效果。

Ø  處理更加均勻由于它是以蒸汽的形式涂布到晶片表面上,所以有液態(tài)涂布不可比擬更好的均勻性。

Ø  效率高液態(tài)涂布是單片操作,而本系統(tǒng)一次可以處理多達(dá)8盒(4寸)的晶片。

Ø  更加節(jié)省藥液實(shí)踐證明,用液態(tài)HMDS涂布單片所用的藥液比用本系統(tǒng)處理4盒晶片所用藥液還多。

Ø  更加環(huán)保和安全HMDS是有毒化學(xué)藥品,人吸入后會(huì)出現(xiàn)反胃、嘔吐、腹痛、呼吸道等,由于整個(gè)過(guò)程是在密閉的環(huán)境下完成的,所以不會(huì)有人接觸到藥液及其蒸汽,也就更加安全,它的尾氣是直接由機(jī)械泵抽到尾氣處理機(jī),所以也不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染。 

Ø  自動(dòng)吸取HMDS功能智能型的程式設(shè)定,一鍵完成作業(yè)。HMDS氣體密閉式自動(dòng)吸取添加設(shè)計(jì),真空箱密封性能佳,確保HMDS氣體無(wú)外漏顧慮。

的必要性

在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到半導(dǎo)體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。

技術(shù)參數(shù)

Ø  材質(zhì): 外箱采用304不銹鋼或優(yōu)質(zhì)冷軋板噴塑,內(nèi)箱采用316L科研級(jí)不銹鋼

Ø  溫度范圍: RT+10-250℃

Ø  溫度分辨率:0.1℃

Ø  溫度波動(dòng)度: ≤±0.5

Ø  真空度: ≤133pa(1torr)

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