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合肥科晶材料技術(shù)有限公司

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參  考  價(jià):面議
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  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其它工業(yè)材料
  • 所在地：合肥市
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2025-02-22 22:56:53
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  • 商鋪產(chǎn)品：2205條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-09-14
  • 最近登錄：2023-09-14
  • 聯(lián)系人：劉蕓
  • 電    話：18256065710
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)品概述： 氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過(guò)程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。

詳情介紹
產(chǎn)品名稱

氮化鎵(GaN)薄膜
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過(guò)程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。
技術(shù)參數(shù)

常規(guī)尺寸

dia50.8±1mm  x 4um,10-25um.

dia100±1mm  x 4um,10-25um. <0001>±1° N型

注：可按客戶需求定制特殊堵塞方向和尺寸。

產(chǎn)品定位

C軸<0001>±1°

傳導(dǎo)類型

N型；半絕緣型；P型

電阻率

R<0.05>；半絕緣型R>106 Ohm-cm

位錯(cuò)密度

<>8 Cm-2

表面處理(鎵面)

AS Grown

有效值

<>

可用表面積

>90%
標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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