砷化鎵取向：

（100）

摻雜與絕緣：

未摻雜，半絕緣

晶圓尺寸：

2英寸直徑

電阻率：

1x10^7ohm.cm

拋光：

單面拋光

EPD：

＜1x10^4 /cm^2

外延薄膜：

層：

薄膜厚度1.0um  晶格匹配： Al(0.25)Ga(0.75）As: (100)

第二層（最上層）：

背面：

背面我們可以預(yù)期沉積，但是我們不能保證表面相同的質(zhì)量和粗糙度

未摻雜

N

7.5-9.5  x1015

4300-4400

1.6E-1-4.5E-1

<>

Sn

N

0.5~1.0 x1018

0.5~1.0 x1018

200 ~ 2400

1500 ~ 2000

0.001~0.002

0.0025~0.007

3~5 x104

Zn

P

0.8~2.0 x1018

2.5~4.0 x1018

2500 ~ 3500

1300 ~ 1600

0.0025~0.006

1~3 x104

Fe

半絕緣

N/A

1550-1640

(2.1-2.7)x107

<>