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合肥科晶材料技術(shù)有限公司

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InP晶體基片

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其它工業(yè)材料
  • 所在地：合肥市
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2025-02-23 13:36:43
  • 瀏覽次數(shù)：
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合肥科晶材料技術(shù)有限公司

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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：2205條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-09-14
  • 最近登錄：2023-09-14
  • 聯(lián)系人：劉蕓
  • 電    話：18256065710
產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品概述： InP非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）等方面。InP基器件在毫米波、通訊、防撞系統(tǒng)、圖像傳感器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用

詳情介紹
產(chǎn)品名稱

磷化銦(InP)晶體基片
技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：             

立方晶系                       

晶格常數(shù)：

 a =5.4505 ?

摻雜：

None；Sn；S；Fe：Zn

密度：

4.81g/cm3

硬度：

3 Mohs

導(dǎo)電類型：

N；N；N；Si；P

折射率：

3.45

載流子濃度：

1-2x1016     1-3x1018
1-4x1018     .6-4x1018

位錯密度：

<5x104>

生長方法：

LEC

熔點(diǎn)：

1062℃

彈性模量：

7.1E11dyn  cm-2
產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向：             

<100>  <111>                   

常規(guī)尺寸：

2"x0.5mm  10x10x0.5mm

拋光情況：

單拋

表面粗糙度：

<>

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見晶體缺陷，表面可能會有小黑點(diǎn)，微小氣泡等
標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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