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4H-SiC晶體基片

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其它工業(yè)材料
  • 所在地：合肥市
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2025-02-23 14:03:16
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：2205條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-09-14
  • 最近登錄：2023-09-14
  • 聯(lián)系人：劉蕓
  • 電    話：18256065710
產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品概述： SiC屬于第三代半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料，禁帶寬度大于2eV。其中4H-SiC禁帶寬可以達到3.26eV，遷移率高：900cm2/V.s。

詳情介紹
產(chǎn)品名稱

 4H-SiC晶體基片
技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：                    

六方晶系                                  

晶格常數(shù)：

a=3.08?  c=10.05?

熔點2827℃

硬度(Mohs)：         

≈9.2

方向：

生長軸或偏(0001) 3.5°

密度（g/cm3）3.16

帶隙：

2.93eV (間接)

導(dǎo)電類型：

N導(dǎo)電

電阻率:

0.1-0.01 ohm-cm

介電常數(shù)：

e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

導(dǎo)電率：

5W / cm·K

生長方式：

MOCVD(有機金屬化學(xué)氣相沉積）
產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向：                      

常規(guī)尺寸：

10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm                     

拋光情況：

單拋、雙拋

拋光面：

常規(guī)單拋為“Si" 面拋光，可按要求做“C"面拋光

拋光面粗糙度：

<>15A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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