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士蘭微榮獲“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”獎

2024-01-04 14:11:30來源:士蘭微 閱讀量:76 評論

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導讀:士蘭微電子榮獲“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”獎。

  日前,由行家信息科技、行家芯網科技主辦的行家說三代半年會“2023碳化硅&氮化鎵產業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮”在深圳國際會展中心舉辦。其中,士蘭微電子榮獲“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”獎。
 
  SSM1R7PB12B3DTFM是士蘭微電子基于自主知識產權的SiC MOS芯片技術所開發(fā)的六單元拓撲模塊,是士蘭微電子推出的新能源電動汽車電驅系統(tǒng)應用領域的主力產品之一,具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級等優(yōu)勢,為嚴苛環(huán)境條件下的逆變器運行提供更可靠的保障。
 
  該產品具有行業(yè)先進的高阻斷電壓、低導通電阻和高電流密度等技術指標,整體可靠性上達到國際先進水平。
 
  該產品從芯片上采用低界面態(tài)密度和高溝道遷移率的SiC/SiO2氧化工藝研發(fā),單芯片導通電阻達到甚至優(yōu)于國外同級別器件水平;封裝方面攻克納米銀燒結、銅線鍵合技術并實現(xiàn)量產。
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