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系統(tǒng)級封裝(SiP)通用技術(shù),促進微電子行業(yè)快速發(fā)展

2024-10-01 14:16:54來源:智能制造網(wǎng)整理 閱讀量:7 評論

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導讀:系統(tǒng)級封裝(SiP)方法被認為是超越摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一,由于其設(shè)計靈活、工藝兼容性好、封裝體積較小、成本低、性能提升大等優(yōu)點受到學術(shù)研究者以及業(yè)界制造商的高度重視。

  隨著全球信息化的步伐加快,集成電路技術(shù)不斷發(fā)展與創(chuàng)新,電子產(chǎn)品朝著高可靠性、高密度、小型化的趨勢發(fā)展。根據(jù)摩爾定律,每十八個月在硅基半導體上實現(xiàn)晶體管的特征尺寸減小一半,電路性能就可提升一倍。
 
  系統(tǒng)級封裝(SiP)方法被認為是超越摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一,由于其設(shè)計靈活、工藝兼容性好、封裝體積較小、成本低、性能提升大等優(yōu)點受到學術(shù)研究者以及業(yè)界制造商的高度重視。
 
  SiP 是通過并行和堆疊的方式將多種不同功能的芯片共同進行封裝的方案,其是將一定數(shù)量具有不同功能的有源、無源器件以及裸芯形成具有多種功能系統(tǒng)。然而相比單片封裝的集成電路,SiP 復(fù)雜的封裝結(jié)構(gòu)以及多種芯片、元器件的組合封裝使得其尺寸和形狀受到限制,影響系統(tǒng)的整體設(shè)計,這可能導致需要犧牲一些功能適應(yīng)封裝的尺寸。
 
  同時組合封裝集成了更多的裸芯片,導致發(fā)熱密度的提高和熱耦合現(xiàn)象的增加。由于封裝材料熱膨脹系數(shù)失配,封裝過程中也會出現(xiàn)封裝翹曲、斷裂、內(nèi)部應(yīng)力過大等問題。不同功能的芯片和元件緊密排列,可能會導致信號干擾和電磁兼容性等問題。
 
  基于芯片 SiP 封裝方法高性能建設(shè)需要,且標準化領(lǐng)域缺少 SiP 封裝關(guān)于設(shè)計規(guī)則、工藝流程、可靠性驗證等的相應(yīng)規(guī)定,導致目前芯片 SiP封裝諸多問題仍未解決,市場迫切需要一個統(tǒng)一而具體的規(guī)范來解決技術(shù)問題。因此,編制系統(tǒng)級封裝(SiP)通用技術(shù)要求標準,對引領(lǐng)微電子行業(yè)的健康、安全、快速發(fā)展具有重大意義。
 
  系統(tǒng)級封裝(SiP)通用技術(shù)要求,規(guī)定了系統(tǒng)級封裝(SiP)的一般要求、材料要求、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則等,適用于芯片倒裝、引線鍵合芯片、無源器件等封裝的設(shè)計、生產(chǎn)、檢驗以及驗收。其中,一般要求包括可制造性、芯片排布、熱設(shè)計、可測試性,以及可靠性。
 
  就熱設(shè)計而言,應(yīng)符合以下規(guī)定:
 
  ——充分考慮芯片散熱及芯片與基板材料間的熱匹配問題,優(yōu)選與芯片熱膨脹系數(shù)匹配、結(jié)合強度良好的基板材料;
 
  ——對散熱要求高的芯片需從基板材料以及熱傳導結(jié)構(gòu)設(shè)計等方面進行優(yōu)化。
 
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