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國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體掀起擴(kuò)產(chǎn)浪潮！2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展重磅揭曉

2024-12-11 14:02:14來源：智能制造網(wǎng)整理 閱讀量：15538 評論

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　　2024年以來，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體向好，尤其是第三代半導(dǎo)體技術(shù)，備受市場關(guān)注！
 
　　什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù)？
 
　　第三代半導(dǎo)體技術(shù)基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料，代表了新一代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展方向。該技術(shù)主要應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通訊、軌道交通等領(lǐng)域。
 
　　近日，“2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展”(簡稱“十大進(jìn)展”)在第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)與第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2024)開幕式上重磅揭曉。
 
　　
       從十大進(jìn)展中可以看出，國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體正在全球范圍內(nèi)掀起擴(kuò)產(chǎn)浪潮！在實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體技術(shù)突破的同時(shí)，還顯著提升芯片出口量。
 
　　據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，我國芯片累計(jì)產(chǎn)量達(dá)到2071.1億顆，同比增長28.9%。此外，我國芯片出口金額高達(dá)5427億元，較去年同期增長25.6%。
 
　　12月5日，由世界集成電路協(xié)會主辦的“2024-2025全球半導(dǎo)體市場峰會”在上海成功召開。峰會上，世界集成電路協(xié)會表示，2024年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到6202億美元，同比增長17%。與此同時(shí)，還表示，全球半導(dǎo)體市場觸底反彈，即將進(jìn)入“硅周期”上行階段！
 
　　“硅周期”是指半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮與蕭條相互交替的現(xiàn)象，一般每四到五年為一個(gè)周期。這是否也預(yù)示著，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“春天”即將來臨？
 
　　12月10日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司申請一項(xiàng)名為“發(fā)光層結(jié)構(gòu)、復(fù)合插入層結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用”的專利。據(jù)悉，該專利將降低外延片中發(fā)光層的應(yīng)力，增強(qiáng)發(fā)光層內(nèi)的輻射復(fù)合效率，提高 LED 外延片的亮度。
 
　　12月5日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司申請一項(xiàng)名為“分柵結(jié)構(gòu)碳化硅 MOSFET 及其制造方法”的專利。根據(jù)專利摘要顯示，該發(fā)明公開了一種分柵結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET及其制造方法。
 
　　12月2日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為“一種氮化鎵基激光器和相關(guān)設(shè)備”的專利。根據(jù)專利摘要的顯示，該專利中提到的氮化鎵基激光器還加入了電勢平衡層，這一創(chuàng)新性結(jié)構(gòu)使得激光器的耗盡區(qū)能夠與有源區(qū)精確重疊。
 
　　11月27日，位于新埭鎮(zhèn)高端裝備智造產(chǎn)業(yè)園的晶馳機(jī)電半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目正式投產(chǎn)。據(jù)悉，該項(xiàng)目將推進(jìn)8英寸大尺寸碳化硅外延設(shè)備與碳化硅長晶設(shè)備、4-6英寸大尺寸金剛石長晶設(shè)備、氮化鋁長晶設(shè)備等三大類產(chǎn)品生產(chǎn)。一旦達(dá)產(chǎn)，項(xiàng)目預(yù)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)年產(chǎn)120臺半導(dǎo)體長晶和外延專用設(shè)備的生產(chǎn)能力，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值1.4億元的目標(biāo)。
 
　　......
 
　　在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，這些都將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的自主可控實(shí)力！
 
　　近年來，我國高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，并在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新方面出臺了一系列支持政策。
 
　　2024年1月，工業(yè)和信息化部等七部門聯(lián)合印發(fā)的關(guān)于推動未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的實(shí)施意見提出，前瞻部署新賽道。在未來材料方面，提出：推動有色金屬、化工、無機(jī)非金屬等先進(jìn)基礎(chǔ)材料升級，發(fā)展高性能碳纖維、先進(jìn)半導(dǎo)體等關(guān)鍵戰(zhàn)略材料，加快超導(dǎo)材料等前沿新材料創(chuàng)新應(yīng)用。
 
　　相信隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的逐漸成熟，我國自主可控實(shí)力將逐漸提升，該技術(shù)在新能源汽車、5G通信、可再生能源等領(lǐng)域的應(yīng)用需求將日益增長。
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