里程碑！IBM宣布造出首顆2nm EUV芯片

2021-05-07 11:38:37來源：快科技閱讀量：136 評(píng)論

導(dǎo)讀：半導(dǎo)體芯片研制，涉及資金、技術(shù)、平臺(tái)、人員等多個(gè)方面。

　　5月6日消息，IBM宣布造出了第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。

　　核心指標(biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管)為333.33，幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的292.21MTr/mm2要高。

　　換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管。

　　同時(shí)，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。

　　實(shí)際上，IBM此前也是率先造出7nm(2015年)和5nm(2017年)芯片的廠商，在電壓等指標(biāo)的定義上很早就拿下主導(dǎo)權(quán)。

　　回到此次的2nm上，采用的是GAA(環(huán)繞柵極晶體管)技術(shù)，三層。IBM介紹，這是第一次使用底介電隔離通道，它可以實(shí)現(xiàn)12nm的柵長(zhǎng)，其內(nèi)部間隔是第二代干法設(shè)計(jì)，有助于納米片的開發(fā)。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。

　　需要注意的是，IBM并沒有自己的晶圓廠，2014年其制造工廠賣給了格芯，但兩者簽署了10年合作協(xié)議，另外，IBM也和三星、Intel保持合作。

　　關(guān)于GAA晶體管技術(shù)，三星3nm、Intel 5nm以及臺(tái)積電2nm均將首次采用。

　　原標(biāo)題：里程碑！IBM宣布造出首顆2nm EUV芯片

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