移動端


當前位置：興旺寶>資訊首頁> 電工電氣

SiC功率器件為何成半導體產(chǎn)業(yè)資本的爭奪之地？

2021-10-09 13:46:08來源：火石產(chǎn)業(yè)大腦 閱讀量：122 評論

分享：

　　功率器件,通常也被稱為電力電子器件,是在電力系統(tǒng)和電氣工程中根據(jù)負載要求處理電力轉(zhuǎn)換的器件。當前功率器件所使用的主流材料依然是Si(硅),但碳化硅(SiC)半導體材料憑借其在高壓、高溫、高頻、高功率、抗輻射等條件下的優(yōu)異特性正展露頭角,被認為是現(xiàn)代功率器件領(lǐng)域最富前景的制作材料之一。
 
　　據(jù)羅姆半導體(ROHM)預(yù)測,2025年國內(nèi)外 SiC 功率半導體市場規(guī)模有望達到 30 億美元,年復合增長率近30%。 據(jù)不完全統(tǒng)計,截至8月,2021年全國新落地第三代半導體產(chǎn)業(yè)項目(含產(chǎn)業(yè)園)已超過11個,近五年簽約項目中,SiC項目數(shù)量眾多,占比63%,且投資金額較大。9月17日,深圳基本半導體宣布完成C1輪融資,將發(fā)力深耕SiC功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進程。
 
　　01 SiC功率器件優(yōu)勢顯著
 
　　從材料本身來看,SiC的熱導率是Si的3倍,禁帶寬度是Si的3倍,臨界擊穿電場是Si的8倍,使得SiC功率半導體具有很高的耐壓容量和電流密度。而SiC基器件相較于傳統(tǒng)Si基器件的優(yōu)勢如表1所示。 表1:Si器件 VS. SiC器件
 
　　由于SiC基器件在高溫下的運行穩(wěn)定性,可大大節(jié)約系統(tǒng)和模塊成本,簡化冷卻散熱系統(tǒng),顯著提高了電路的集成度。同時,高開關(guān)頻率和高轉(zhuǎn)換效率可減少能量損耗,縮小產(chǎn)品體積,從而降低模塊的整體成本。與Si基功率器件相比,SiC基器件可至少降低能耗33.6%,在峰值效率下工作時率大于96.0%。
 
　　據(jù)ROHM介紹,對于一款5kW的DC/DC 轉(zhuǎn)換器,如使用SiC MOSFET替代原先的Si IGBT,整體系重量可從7kg降低到0.9kg,體積縮小約85%,能耗降低63%?；衔锇雽w科銳(Cree)也展示了類似的數(shù)據(jù):在相同電池條件下,搭載了SiC MOSFET的電動汽車比搭載Si基IGBT的電動汽車續(xù)航里程可提高約5%-10%。
 
　　02  SiC功率器件的分類和應(yīng)用
 
　　目前SiC功率器件主要分為SiC功率二極管、SiC功率晶體管、SiC功率晶體管三大類,具體如圖2所示。
 
　　以SiC肖特基器件為例,SiC功率器件的應(yīng)用可按電壓等級分為低電壓應(yīng)用(<600V)、中電壓應(yīng)用(600——1.7kV)和高電壓應(yīng)用(1.7——10kV)。在低電壓領(lǐng)域,主要應(yīng)用對象是功率因子校正器(PFC);在中電壓范圍,光伏逆變器、電動汽車/混合動力汽車、不間斷電源(UPS)及電動機控制器是主力軍;在高電壓領(lǐng)域,船艦驅(qū)動、智能電網(wǎng)、風力發(fā)電機功率轉(zhuǎn)換器和機車牽引正受到關(guān)注。
 
　　03  國內(nèi)外SiC功率器件的商業(yè)化進程
 
　　目前，幾乎所有的Si基功率半導體都或多或少地在布局SiC功率市場。據(jù)統(tǒng)計,目前Cree、英飛凌(Infineon)、ROHM、意法半導體(ST)和三菱電機合計約占90%的SiC功率器件市場份額。
 
　　SiC功率二極管
 
　　截至2020年底,國內(nèi)外已有超20家具有量產(chǎn)SiC二極管產(chǎn)品能力的公司,擊穿電壓主要分布在600V——3.3kV。根據(jù)Mouser統(tǒng)計,2020年共有800款在售SiC SBD產(chǎn)品,中高壓應(yīng)用對象數(shù)量逐年增長。
 
　　SiC功率晶體管
 
　　近年來，國內(nèi)外半導體企業(yè)均在積極研發(fā)并推出全新的SiC MOSFET,2020年約10家廠商具備量產(chǎn)能力,共推出211款SiC MOSFET產(chǎn)品,擊穿電壓集中在650V和1.2kV。
 
　　SiC功率模塊
 
　　國際典型廠商有安森美(OnSemi)、Infineon、Cree/Wolfspeed、三菱電機、富士電機、ROHM和Semikron等,產(chǎn)品正逐步從混合模塊(Si基IGBT和SiC基SBD)向全SiC模塊過渡。三菱電機和ROHM均生產(chǎn)使用SiC開關(guān)和SiC SBD的全SiC功率模塊;OnSemi在2020年新推出了一款集成1.2kV SiC MOSFET和1.2kV SiC雙升壓二極管的功率模塊,應(yīng)用目標為太陽能逆變器,可有效解決在高功率下對高系統(tǒng)效率的需求。
 
　　我國SiC功率器件商業(yè)化進展
 
　　在國內(nèi),現(xiàn)階段實現(xiàn)商業(yè)化的SiC功率器件產(chǎn)品以SiC二極管和SiC MOSFET為主,代表企業(yè)包括泰科天潤、三安集成、華潤微、中車時代、基本半導體,產(chǎn)品電壓集中在650V——1.7kV,高壓器件仍處于樣品研發(fā)階段。此外,SiC SBD產(chǎn)業(yè)化剛剛起步,SiC IGBT尚在研發(fā)。
 
　　SiC功率模塊方面,比亞迪車規(guī)級產(chǎn)品已上車使用,此外斯達半導體、瞻芯電子、基本半導體、世紀金光、士蘭微等企業(yè)也在積極布局,加快推進研發(fā)及擴產(chǎn)。

       原標題：SiC功率器件為何成半導體產(chǎn)業(yè)資本的爭奪之地？
版權(quán)與免責聲明：1.凡本網(wǎng)注明“來源：興旺寶裝備總站”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-興旺寶合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：興旺寶裝備總站”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責任。 2.本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來源（非興旺寶裝備總站）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或和對其真實性負責，不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負版權(quán)等法律責任。 3.如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
我來評論

昵稱 驗證碼

文明上網(wǎng)，理性發(fā)言。（您還可以輸入200個字符)

所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)

    相關(guān)新聞

    • 800吉字節(jié)/秒！新型光電子芯片能效和帶寬創(chuàng)紀錄

      創(chuàng)新型三維光電子芯片擁有高達800吉字節(jié)/秒的超高速數(shù)據(jù)傳輸帶寬，并且每傳輸1比特數(shù)據(jù)，僅消耗120飛焦耳的能量，展現(xiàn)出卓越的能效表現(xiàn)。
      2025-03-27 14:04:57    8347
      新型光電子芯片半導體

    • 手機顯示器或?qū)⒂瓉硗黄?新型手性有機半導體面世

      來自英國劍橋大學和荷蘭埃因霍芬理工大學等機構(gòu)的科學家，研制出一種新型手性有機半導體。這種半導體能讓電子以螺旋方式移動，極大提高有機發(fā)光二極管的性能，提升顯示屏的顯示效果。
      2025-03-18 14:19:55    15008
      手性半導體顯示器

    • 賦能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新！第四屆半導體超精密分析技術(shù)及應(yīng)用線上研討會報名開啟

      2025年3月19日14：00，化工儀器網(wǎng)舉辦“第四屆半導體超精密分析技術(shù)及應(yīng)用線上研討會”，將聚焦第三代半導體材料與器件的超精密分析技術(shù)，深入解析前沿分析方法、應(yīng)用場景與國產(chǎn)化路徑，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動能，助力加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)升級。
      2025-03-13 14:09:12    15919
      半導體超精密分析網(wǎng)絡(luò)課堂