- 2024-09-25 08:32:51 27
- 半導體電子產(chǎn)業(yè)
閱讀排行
更多
- 1一句話新聞:10.01資訊匯總
- 2純水機產(chǎn)品碳足跡評價,助推純水設(shè)備產(chǎn)業(yè)的綠色發(fā)展
- 3一句話新聞:紐威數(shù)控龍門加工中心獲評“江蘇精品”
- 4廣東省發(fā)布35條措施 支持廣州市智能傳感器產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展
- 5東方電子聘任鄧發(fā)為公司董事會秘書
- 6英威騰注銷81.601萬份股票期權(quán)
- 7省水資源管理集團與省環(huán)保集團重組,遼寧一重磅國企掛牌!
- 8公司重要動態(tài)速覽|??低?、千方科技、科大訊飛......
- 9新巨豐包裝上半年凈利潤同比增長8.64%
企業(yè)直播
更多
推薦展會
更多
英特爾目標將封裝中的密度提升10倍以上
導讀:12月14日消息,在不懈推進摩爾定律的過程中,英特爾公布了在封裝、晶體管和量子物理學方面的關(guān)鍵技術(shù)突破,這些突破對推進和加速計算進入下一個十年至關(guān)重要。
12月14日消息,在不懈推進摩爾定律的過程中,英特爾公布了在封裝、晶體管和量子物理學方面的關(guān)鍵技術(shù)突破,這些突破對推進和加速計算進入下一個十年至關(guān)重要。在2021 IEEE 國際電子器件會議(IEDM)上,英特爾概述了其未來技術(shù)發(fā)展方向,即通過混合鍵合(hybrid bonding)將在封裝中的互連密度提升 10 倍以上,晶體管微縮面積提升 30% 至 50%,在全新的功率器件和內(nèi)存技術(shù)上取得重大突破,基于物理學新概念所衍生的新技術(shù),在未來可能會重新定義計算。
英特爾高級院士兼組件研究部門總經(jīng)理 Robert Chau 表示:“在英特爾,為持續(xù)推進摩爾定律而進行的研究和創(chuàng)新從未止步。英特爾的組件研究團隊在 IEDM 2021 上分享了關(guān)鍵的研究突破,這些突破將帶來革命性的制程工藝和封裝技術(shù),以滿足行業(yè)和社會對強大計算的無限需求。這是我們十分優(yōu)秀的科學家和工程師們不懈努力的結(jié)果,他們將繼續(xù)站在技術(shù)創(chuàng)新的前沿,不斷延續(xù)摩爾定律。”
摩爾定律滿足了從大型計算機到移動電話等每一代技術(shù)的需求,并與計算創(chuàng)新同步前行。如今,隨著我們進入一個具有無窮數(shù)據(jù)和人工智能的計算新時代,這種演變?nèi)栽诶^續(xù)。
持續(xù)創(chuàng)新是摩爾定律的基石,英特爾的組件研究團隊致力于在三個關(guān)鍵領(lǐng)域進行創(chuàng)新:第一,為提供更多晶體管的核心微縮技術(shù);第二,在功率器件和內(nèi)存增益領(lǐng)域提升硅基半導體性能;第三,探索物理學新概念,以重新定義計算。眾多突破摩爾定律昔日壁壘并出現(xiàn)在當前產(chǎn)品中的創(chuàng)新技術(shù),都源自于組件研究團隊的研究工作,包括應變硅、高 K- 金屬柵極技術(shù)、FinFET 晶體管、RibbonFET,以及包括 EMIB 和 Foveros Direct 在內(nèi)的封裝技術(shù)創(chuàng)新。
在 IEDM 2021 上披露的突破性進展表明,英特爾正通過對以下三個領(lǐng)域的探索,持續(xù)推進摩爾定律,并將其延續(xù)至 2025 年及更遠的未來。
一、為在未來的產(chǎn)品中提供更多的晶體管,英特爾正針對核心微縮技術(shù)進行重點研究:
·英特爾的研究人員概述了混合鍵合互連中的設(shè)計、制程工藝和組裝難題的解決方案,期望能在封裝中將互連密度提升 10 倍以上。在今年 7 月的英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會中,英特爾宣布計劃推出 Foveros Direct,以實現(xiàn) 10 微米以下的凸點間距,使 3D 堆疊的互連密度提高一個數(shù)量級。為了使生態(tài)系統(tǒng)能從前沿封裝中獲益,英特爾還呼吁建立新的行業(yè)標準和測試程序,讓混合鍵合芯粒(hybrid bonding chiplet)生態(tài)系統(tǒng)成為可能。
·展望其 GAA RibbonFET(Gate-All-Around RibbonFET)技術(shù),英特爾正推動著即將到來的后 FinFET 時代,通過堆疊多個(CMOS)晶體管,實現(xiàn)高達 30% 至 50% 的邏輯微縮提升,通過在每平方毫米上容納更多晶體管,以繼續(xù)推進摩爾定律的發(fā)展。
·英特爾同時也在為摩爾定律進入埃米時代鋪平道路,其前瞻性的研究展示了英特爾是如何克服傳統(tǒng)硅通道限制,用僅有數(shù)個原子厚度的新型材料制造晶體管,從而實現(xiàn)在每個芯片上增加數(shù)百萬晶體管數(shù)量。在接下來的十年,實現(xiàn)更強大的計算。
二、英特爾為硅注入新功能:
·通過在 300 毫米的晶圓上首次集成氮化鎵基(GaN-based)功率器件與硅基 CMOS,實現(xiàn)了更高效的電源技術(shù)。這為 CPU 提供低損耗、高速電能傳輸創(chuàng)造了條件,同時也減少了主板組件和空間。
·另一項進展是利用新型鐵電體材料作為下一代嵌入式 DRAM 技術(shù)的可行方案。該項業(yè)界前沿技術(shù)可提供更大內(nèi)存資源和低時延讀寫能力,用于解決從游戲到人工智能等計算應用所面臨的日益復雜的問題。
三、英特爾正致力于大幅提升硅基半導體的量子計算性能,同時也在開發(fā)能在室溫下進行高效、低功耗計算的新型器件。未來,基于全新物理學概念衍生出的技術(shù)將逐步取代傳統(tǒng)的 MOSFET 晶體管:
·在 IEDM 2021上,英特爾展示了全球首例常溫磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件,這表明未來有可能基于納米尺度的磁體器件制造出新型晶體管。
·英特爾和比利時微電子研究中心(IMEC)在自旋電子材料研究方面取得進展,使器件集成研究接近實現(xiàn)自旋電子器件的全面實用化。
·英特爾還展示了完整的 300 毫米量子比特制程工藝流程。該量子計算工藝不僅可持續(xù)微縮,且與 CMOS 制造兼容,這確定了未來研究的方向。
原標題:英特爾目標將封裝中的密度提升10倍以上 并布局非硅基半導體
版權(quán)與免責聲明:1.凡本網(wǎng)注明“來源:興旺寶裝備總站”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-興旺寶合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:興旺寶裝備總站”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責任。 2.本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來源(非興旺寶裝備總站)的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或和對其真實性負責,不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負版權(quán)等法律責任。 3.如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
相關(guān)新聞
-
據(jù)媒體報道,越南政府簽發(fā)關(guān)于頒布越南半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略(近期至2030年和遠期展望至2050年)的第1018號決定。
-
半導體所在垂直自旋器件的全電寫入關(guān)鍵技術(shù)方面取得進展
傳統(tǒng)材料(如自旋霍爾效應材料等)由于對稱性保護只能產(chǎn)生面內(nèi)橫向極化自旋,其角動量無法翻轉(zhuǎn)垂直磁化比特。尋找垂直有效磁場和垂直極化自旋的有效產(chǎn)生方法成為近年來的科技前沿熱點。- 2024-09-12 08:43:04 32
- 垂直自旋器件半導體
-
國投集團中國電子院:從專業(yè)化到數(shù)智化 打通半導體產(chǎn)業(yè)化最后一公里
國投集團旗下中國電子工程設(shè)計院股份有限公司(以下簡稱中國電子院)深耕電子行業(yè)70余年,承攬了國內(nèi)90%以上顯示器件、60%以上存儲芯片、50%以上BAT企業(yè)數(shù)據(jù)中心的高端電子基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計業(yè)務,連續(xù)4年被國資委評為“科改企業(yè)”標桿。- 2024-09-11 08:30:46 17
- 半導體
昵稱 驗證碼 請輸入正確驗證碼
所有評論僅代表網(wǎng)友意見,與本站立場無關(guān)