全球首發(fā)全柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管!三星將量產(chǎn)3nm工藝 功耗比暴降50%
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱,三星將在未來幾天宣布開始批量制造,在生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的芯片的過程中擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。- 2022-06-29 14:01:47 125
- 晶體管3nm工藝
導(dǎo)讀:晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。并且與普通機(jī)械開關(guān)不同,晶體管利用電信號(hào)來控制自身的開合,所以其開關(guān)的速度非???。
全球首發(fā)全柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管!三星將量產(chǎn)3nm工藝 功耗比暴降50%
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱,三星將在未來幾天宣布開始批量制造,在生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的芯片的過程中擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。高效有機(jī)雙極晶體管作頻率首次達(dá)到千兆赫茲 為有機(jī)電子學(xué)開辟全新前景
晶體管的性能與日俱增,極大加快了數(shù)據(jù)的處理速度。但這些晶體管比較堅(jiān)硬,不太適用于研制新型柔性電子元件,如可折疊的電視顯示屏或醫(yī)療領(lǐng)域使用的儀器等。臺(tái)積電計(jì)劃2025年實(shí)現(xiàn)N2環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片量產(chǎn)
作為一個(gè)全新的平臺(tái),臺(tái)積電 N2 節(jié)點(diǎn)將結(jié)合 GAAFET 納米片晶體管和背面供電工藝、并運(yùn)用廣泛的極紫外光刻(EUV)技術(shù)。
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