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國(guó)內(nèi)廠商開發(fā)出DRAM內(nèi)存芯片新技術(shù)

2022-06-20 09:17:01來源：快科技 閱讀量：156 評(píng)論

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　　EUV光刻機(jī)是研制先進(jìn)芯片的一條路徑，但并非唯一解。
 
　　對(duì)于國(guó)內(nèi)廠商來說，當(dāng)前在3D NAND閃存的發(fā)展上，就因?yàn)椴恍枰狤UV機(jī)器，從而找到了技術(shù)追趕的機(jī)會(huì)。
 
　　而在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來自浙江海寧的芯盟則開辟出繞過EUV光刻的新方案。
 
　　據(jù)問芯報(bào)道，在中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)CSTIC 2022中，芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術(shù)的3D 4F² DRAM架構(gòu)問世。
 
　　他指出，基于HITOC技術(shù)所開發(fā)的全新架構(gòu)3D 4F² DRAM芯片，最大特點(diǎn)是不需要用到EUV光刻機(jī)，也不需要多重圖形曝光SAQP(Self-Aligned Quadruple Patterning)步驟，這可以大幅減少成本，更重要的是，避免了設(shè)備被國(guó)外制造商卡脖子。
 
　　所謂HITOC，即Heterogeneous Integration Technology on Chip的縮寫，就是運(yùn)用先進(jìn)的晶圓對(duì)晶圓和晶粒對(duì)晶圓混合鍵合制造工藝，將不同類型的晶圓或晶粒上下對(duì)準(zhǔn)貼合，以實(shí)現(xiàn)真正的三維異構(gòu)單芯片集成。
 
　　原標(biāo)題：國(guó)內(nèi)廠商開發(fā)出DRAM內(nèi)存芯片新技術(shù)
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