微波射頻測試黑科技！直接測量晶圓或裸芯片的毫米波太赫茲在片測試

微波射頻在片測量是指使用探針直接測量晶圓（Wafer）或裸芯片（Chip）的微波射頻參數(shù)。相比于常規(guī)的鍵合/封裝后的測量，微波射頻在片測量消除了封裝及鍵合絲引入的寄生參數(shù)，可以更準確的反應(yīng)被測芯片的射頻特性。微波射頻在片測量廣泛應(yīng)用于器件建模、芯片檢驗等領(lǐng)域。

隨著5G、汽車雷達等技術(shù)的發(fā)展，在片測試也進入了亞毫米波/太赫茲頻段，對在片測試技術(shù)提出了更高的挑戰(zhàn)。

在片測量系統(tǒng)：

微波射頻在片測量系統(tǒng)一般由射頻/微波測量儀器和探針臺及附件組成。 

微波射頻在片測量系統(tǒng)中，探針臺和探針用于芯片測量端口與射頻測量儀器端口（同軸或波導(dǎo)）之間的適配；微波射頻測量儀器完成各項所需的射頻測量。

射頻探針：

射頻探針的本質(zhì)為適配器，將芯片測量接口轉(zhuǎn)為同軸或波導(dǎo)端口。常見的射頻探針有GSG型、GS型、GSSG型等。射頻探針的主要參數(shù)有高工作頻率、探針針尖距（Pitch）等。

目前，同軸接口的射頻探針頻率可達110 GHz，波導(dǎo)接口的射頻探針頻率高達1.1 THz，有一些型號的探針可以選配BiasTee。

校準

微波射頻在片測試的校準主要是指S參數(shù)校準，可以通過使用校準片完成校準。一般的校準片提供開路（Open）、短路（Short）、匹配（Match）、直通（Through）和直線（Line）標準件，可完成TOSM校準或TRL校準。

可以利用廠家提供的標準件參數(shù)，一般廠家提供的校準件參數(shù)包括開路電容、短路電感、負載阻抗及寄生電感、直通/延遲線電長度等，根據(jù)這些數(shù)據(jù)，可以在矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中編輯校準件，完成校準。

需要注意的是，不同廠家的探針和校準片一般不能混用。

典型的在片測試：

• THz矢量網(wǎng)絡(luò)測試（R&S®ZVA/ZNA矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及擴頻單元）：

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THz多端口矢量網(wǎng)絡(luò)測試（R&S®ZVT/ZNA矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及擴頻單元）：

頻譜/矢量信號分析（R&S®FSW信號與頻譜分析儀及R&S®SMW矢量信號源）：

在片負載牽引測試（R&S®ZVA/ZNA矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀等）

有源/無源器件建模（R&S®ZVA/ZNA矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀等）：