壓力傳感器芯體材質(zhì)采用單晶硅的優(yōu)勢(shì)
硅在集成電路和微電子器件生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用,主要是利用硅的電學(xué)特性;在MEMS微機(jī)械結(jié)構(gòu)中,則是利用其機(jī)械特性,繼而產(chǎn)生新一代的硅機(jī)電器件和裝置。硅材料儲(chǔ)量豐富,成本低。硅晶體生長(zhǎng)容易,并存在超純無雜的材質(zhì),不純度在十億分這一的量級(jí),因而本身的內(nèi)耗小,機(jī)械品質(zhì)因數(shù)可高達(dá)10^6數(shù)量級(jí)。設(shè)計(jì)得當(dāng)?shù)奈⒒顒?dòng)結(jié)構(gòu),如微傳感器,能達(dá)到極小的遲滯和蠕變、的重復(fù)性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性以及高可靠性。所以用硅材制作硅壓阻壓力傳感器,有利于解決長(zhǎng)困擾傳感器領(lǐng)域的3個(gè)難題——遲滯、重復(fù)性及長(zhǎng)期漂移。
硅材料密度為2.33g/cm^2,是不銹鋼密度的1/3.5,而彎曲強(qiáng)度卻為不銹鋼的3.5倍,具有較高的強(qiáng)度/密度比和較高的剛度/密度比。單晶硅具有很好的熱導(dǎo)性,是不銹鋼的5倍,而熱膨脹系數(shù)則不到不銹鋼的1/7,能很好地和低膨脹Invar合金連接,并避免熱應(yīng)力產(chǎn)生。單晶硅為立方晶體,是各向異性材料。許多機(jī)械特性和電子特性取決于晶向,如彈性模量和壓阻效應(yīng)等。
單晶硅的電阻應(yīng)變靈敏系數(shù)高。在同樣的輸入下,可以得到比金屬應(yīng)變計(jì)更高的信號(hào)輸出,一般為金屬的10-100倍,能在10^-6級(jí)甚至10^-8級(jí)上敏感輸入信號(hào)。硅材料的制造工藝與集成電路工藝有很好的兼容性,便于微型化、集成化及批量生產(chǎn)。硅可以用許多材料覆蓋,如氮化硅,因而能獲得優(yōu)異的防腐介質(zhì)的保護(hù)。具有較好的耐磨性。
綜上所述,硅材料的優(yōu)點(diǎn)可歸為:優(yōu)異的機(jī)械特性;便于批量微機(jī)械結(jié)構(gòu)和微機(jī)電元件;與微電子集成電路工藝兼容;微機(jī)械和微電子線路便于集成。
正是這些優(yōu)點(diǎn),使硅材料成為制造微機(jī)電和微機(jī)械結(jié)構(gòu)主要的優(yōu)選材料。但是,硅材料對(duì)溫度極為敏感,其電阻溫度系統(tǒng)接近于2000×10^-6/K的量級(jí)。因此,凡是基于硅的壓阻效應(yīng)為測(cè)量原理的傳感器,必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償,這是不利的一面;而可利用的一面則是,在測(cè)量其他參數(shù)的同時(shí),可以直接對(duì)溫度進(jìn)行測(cè)量。
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