【詳細說明】

深圳ESD61002B智能型靜電放電發(fā)生器技術(shù)特點：

◆符合 IEC61000-4-2 和 GB/T17626.2 標準的要求；

◆液晶顯示，智能控制

◆部分關(guān)鍵元器件采用*產(chǎn)品，可靠、耐用。

◆設(shè)備小巧輕便，易于操作

◆內(nèi)置靜電放電標準四等級參數(shù)

◆使用程控高壓電源，可靠性好

◆無論是接觸放電還是空氣放電，都可以持續(xù)在高電壓工作

◆使用簡單,無需注意操作順序（有軟件保護）

◆可以方便更換阻容器件,以滿足不同標準的試驗要求

◆可以根據(jù)國標標準變化，在原來設(shè)備上輕易升級

深圳ESD61002B智能型靜電放電發(fā)生器主要技術(shù)參數(shù)

可選附件：標準靜電放電試驗桌

試驗臺是為靜電放電試驗而專門設(shè)計的試驗裝置，符合IEC61000-4-2和GB/T17626.2標準，也可以用于脈沖群和衰減振蕩波的抗擾度試驗。

靜電放電模型



一般工業(yè)界將組件的ESD測試分類為人體放電模型(Human Body Model, HBM)，機器放電模型(Machine Model, MM)及組件充電模型(Charged Device Model, CDM)，而組件充電模型又可分為socketed和non-socketed兩種測試方法。



HBM
人體放電模型是仿真人體因走動或其它因素而在人體上累積靜電后，再去碰觸到IC，人體上的靜電便會經(jīng)由碰觸的腳位而進入IC內(nèi)，若IC有一端接地而形成放電路徑時，便會經(jīng)由接地腳位放電。此放電的過程會在短短數(shù)百毫微秒(ns)的時間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流，進而將IC內(nèi)的電路燒毀。對一般組件可耐受的HBM 2 kV來說，在2~10 ns的時間內(nèi)，瞬間電流峰值可達1.33 A。



MM
機器放電模型則是70年代由日本人根據(jù)HBM的嚴重狀況所發(fā)展出來。機器放電模式是仿真設(shè)備機器(例如機械手臂、測試夾具、手工具等)本身累積了靜電，當此機器碰觸IC時，靜電便對該IC放電。雖然MM與HBM的放電行為模式相類似，但當MM發(fā)生時皆為金屬對金屬的接觸，因此接觸電阻微乎其微，而且一般機器設(shè)備的電容皆遠大于人體，因此可以儲存更多的靜電荷，所以不但造成放電的速度很快，放電電流也較HBM大了數(shù)倍，在幾十毫微秒之內(nèi)會有數(shù)安培的瞬間放電電流產(chǎn)生，因此機器放電模型對IC造成的破壞更大。而且由于電感效應(yīng)的影響，MM放電時將以正負電流振蕩的型式影響產(chǎn)品，因此造成的破壞將更加嚴重。



CDM
組件充電模型是指IC先因磨擦或感應(yīng)等因素而在IC內(nèi)部累積了靜電，但在靜電慢慢累積的過程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過程中，當其任一接腳碰觸到接地導(dǎo)體時，IC內(nèi)部的靜電便會經(jīng)由接腳流出而造成放電現(xiàn)象。此種模型的放電時間更短，僅約幾個毫微秒。且因為IC內(nèi)部累積的靜電會因?qū)Φ氐牡刃щ娙葜刀?，而等效電容值又?/span>IC擺放的角度與位置以及IC所用的包裝型式有關(guān)，所以放電現(xiàn)象更難真實模擬。關(guān)于此放電模型的工業(yè)用測試機臺有分為轉(zhuǎn)接座式(socketed)與非轉(zhuǎn)接座式(non-socketed)兩種。目前socketed CDM測試方法尚無正式之標準規(guī)范文件，而non-socketed CDM主要的工業(yè)標準規(guī)范有ESD STM5.3.1-1999及EIA/JESD22-C101-A: 2000兩種[3], [4]

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