上海慮本電氣科技有限公司
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400kV10kJ沖擊電壓發(fā)生器成套裝置

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地上海市

更新時(shí)間:2022-05-03 18:00:02瀏覽次數(shù):19次

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400kV10kJ沖擊電壓發(fā)生器成套裝置:可提供多種波形系列成套沖擊電壓(電流)發(fā)生器。沖擊試驗(yàn)裝置主要由:發(fā)生器本體、截波、分壓器、四組件控制臺(tái)(控制臺(tái)分為微機(jī)型和普通型)、數(shù)字化波形記錄系統(tǒng)等組成。

400kV10kJ沖擊電壓發(fā)生器成套裝置使用條件

海拔高度:≤1000m

環(huán)境溫度:-25℃~+45℃

相對(duì)濕度:≤90%(20℃時(shí))

日溫差:≤25℃

抗地震能力:≤8級(jí)烈度

安裝地點(diǎn):戶內(nèi)

電源電壓的波形為實(shí)際正弦波

波形畸變率<3%

設(shè)有一可靠接地點(diǎn),接地電阻<0.5Ω

遵循標(biāo)準(zhǔn)

GB7449                    電力變壓器和電抗器的雷電沖擊和操作沖擊的試驗(yàn)導(dǎo)則

GB1094.3-03               電力變壓器第三部分  絕緣水平和絕緣試驗(yàn)

GB/T.311.1-1997           高壓輸變電設(shè)備的絕緣與配合

GB/T 16927.1-1997         高電壓試驗(yàn)技術(shù)  *部分  一般試驗(yàn)要求

GB/T 16927.2-1997         高電壓試驗(yàn)技術(shù)  第二部分  測(cè)量系統(tǒng)

GB/T 16896.1              高電壓沖擊試驗(yàn)用數(shù)字記錄儀

DL/T 848.5                高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件  第5部分  沖擊電壓發(fā)生器

額定參數(shù)值

額定標(biāo)稱電壓:±400kV
額定級(jí)電壓:±100kV
額定能量:10kJ
沖擊總電容:0.25μF
總級(jí)數(shù):4級(jí)
額定級(jí)電容量:0.5μF

負(fù)荷電容為300~5000PF時(shí)能產(chǎn)生下列波形:

1、1.2±30%/50±20%μs雷電沖擊電壓全波,電壓效率≥92%(空載)

2、2~6μs的標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓截波,電壓效率≥92%(空載)

3、沖擊電壓波形參數(shù)均符合IEC和GB311-97標(biāo)準(zhǔn)的要求

4、同步范圍:級(jí)電壓在10%~100%額定電壓范圍內(nèi),正負(fù)極性同步范圍不小于20%;

5、點(diǎn)火范圍10%~100%

6、同步放電失控率:< 2%

7、輸出電壓:≤10un

8、充電電壓不穩(wěn)定度:≤±1.0%

9、使用持續(xù)時(shí)間:>70%un額定電壓以上,每90秒充放電一次可連續(xù)運(yùn)行;在<70%un額定電壓下,每45秒充放電一次可連續(xù)運(yùn)行。 

400kV10kJ沖擊電壓發(fā)生器成套裝置主要部件 

直流充電部分

采用雙邊不對(duì)稱式可控硅恒流充電方式,額定輸出電壓±100kV;
采用雙邊不對(duì)稱式可控硅恒流充電方式,額定輸出電流30mA;
采用絕緣筒油浸式充電變壓器,變壓器密封良好,無滲漏油;
采用2DL-200kV/200mA的高壓整流硅堆;
高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上;

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