晶閘管綜合測(cè)試儀 可控硅綜合特性分析儀
型號(hào)：SN/DBC-112
北京晶閘管綜合測(cè)試儀系統(tǒng)概述
晶閘管綜合參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，是大功率晶閘管測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具
有如下特點(diǎn)：
1. 該測(cè)試系統(tǒng)是一套綜合的測(cè)試系統(tǒng)，綜合測(cè)試參數(shù)多，技術(shù)難度大。
2. 該測(cè)試系統(tǒng)是一套高壓大電流的測(cè)試設(shè)備，對(duì)設(shè)備的電氣性能要求高。
3. 該系統(tǒng)是一套動(dòng)態(tài)和靜態(tài)參數(shù)的集成測(cè)試系統(tǒng)，因此該設(shè)備的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)難度大。
4. 該系統(tǒng)的測(cè)試控制*采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。
5. 系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為 Excel 文件進(jìn)行處理。
6. 北京晶閘管綜合測(cè)試儀該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管出廠檢驗(yàn)測(cè)試中*的測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要測(cè)試晶閘管。1. 該測(cè)試系統(tǒng)是一套綜合的測(cè)試系統(tǒng)，綜合測(cè)試參數(shù)多，技術(shù)難度大。
2. 該測(cè)試系統(tǒng)是一套高壓大電流的測(cè)試設(shè)備，對(duì)設(shè)備的電氣性能要求高。
3. 該系統(tǒng)是一套動(dòng)態(tài)和靜態(tài)參數(shù)的集成測(cè)試系統(tǒng)，因此該設(shè)備的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)難度大。
4. 該系統(tǒng)的測(cè)試控制*采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。
5. 系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為 Excel 文件進(jìn)行處理。
6. 該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管出廠檢驗(yàn)測(cè)試中*的測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要測(cè)試晶閘管。
測(cè)試參數(shù)；
1) 門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元
2) 維持電流測(cè)試單元
3) 擎住電流測(cè)試單元
4) 阻斷參數(shù)測(cè)試單元
5) 通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元
6) 電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元
7) 關(guān)斷時(shí)間參數(shù)測(cè)試單元
8) 恢復(fù)電荷參數(shù)測(cè)試單元
技術(shù)條件
環(huán)境溫度：15～40℃
相對(duì)濕度：下圖給出了該測(cè)試臺(tái)濕度與額定電壓的關(guān)系，請(qǐng)按照以下條件使用。（注：存放濕度不大于 80%。）
大氣壓力： 86Kpa～ 106Kpa
電網(wǎng)電壓： AC220V±10%無嚴(yán)重諧波
電網(wǎng)頻率： 50Hz±1Hz
測(cè)試范圍
1. 門極參數(shù)測(cè)試：VGT、IGT
2. 維持電流測(cè)試：IH
3. 擎住電流測(cè)試：IL
4. 阻斷參數(shù)測(cè)試：VD、VR 、ID、IR
5. 壓降參數(shù)測(cè)試：VTM、ITM 、Vr、Ir、Vf、If、
6. 電壓上升率參數(shù)測(cè)試：dv/dt
7. 關(guān)斷時(shí)間參數(shù)測(cè)試：Tq
8.恢復(fù)電荷參數(shù)測(cè)試：Qrr、Irr、Trr
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