單晶少子壽命測試儀 非平衡少數(shù)載流子壽命測定儀
型號：SN/LT-2
| 北京單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。 | ||||||||||||||||||||||||
| 北京單晶少子壽命測試儀本儀器根據(jù)通用方法高頻光電導衰退法的原理設計，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結(jié)構緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。 | ||||||||||||||||||||||||
| 技 術 指 標： | ||||||||||||||||||||||||
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