應用
MEMS應用
AWG
光柵
參數(shù)
Size | 6" 8" |
器件層厚度 | 100nm※～200μm |
各層的厚度精度 | Thin layer ±15nm Thick layer ±0.5μm |
BOX層 | Maximum 20μm |
型號
型號 | Size | Device layer thickness | BOX layer thickness（SiO2） | refractivity（@1550nm） |
SI0615P01 | 6inch | 1mm±50um | 15-20um | 1.4458±0.0004 |
原廠介紹
KST作為日本設(shè)計并加工半導體及光通信用硅晶圓以及膜產(chǎn)品的公司，KST株式會社依賴的熱氧化技術(shù)，該技術(shù)制備的超厚熱氧化膜憑借其優(yōu)異的表面清潔度和穩(wěn)定的薄膜質(zhì)量，在市場上占有的份額，可以為客戶提供超厚氧化膜的晶圓產(chǎn)品，這些產(chǎn)品能夠幫助客戶開發(fā)新型光通信及MEMS器件，并能夠極大的提升量產(chǎn)良率。
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