設(shè)備采用高效機(jī)械手，重復(fù)定位精度高、產(chǎn)能高，自動(dòng)完成勻膠、顯影工藝；配備烘烤及冷卻單元，工藝參數(shù)數(shù)字化檢測(cè)控制，自由編制、修改、儲(chǔ)存、調(diào)用工藝程序；故障、生產(chǎn)工藝參數(shù)等記錄等可長(zhǎng)期保存?zhèn)洳?；操作?jiǎn)便，維修便利。主軸電機(jī)采用進(jìn)口交流無刷伺服電機(jī)，保證旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、加控制精度高、重復(fù)性、穩(wěn)定性好；光刻膠采用精密計(jì)量泵供應(yīng)，精度高，供液穩(wěn)定，出膠量設(shè)定方便。 晶片尺寸
2-6英寸，圓形及方形基片，光刻膠旋涂及顯影工藝
主要技術(shù)參數(shù)
1、晶片尺寸： 2-6英寸 
2、上下料方式： 高效機(jī)械手自動(dòng)傳送 
3、離心機(jī)轉(zhuǎn)速
     額定轉(zhuǎn)速： 6000 rpm 
     加速度： 30000rpm/s
     最小調(diào)整量： 1rpm 
     轉(zhuǎn)速精度：  ±1rpm（50 rpm～6000 rpm） 
4、吸盤(Chuck) 
     夾持方式： 真空吸附
     吸盤真空檢測(cè)： 數(shù)顯真空壓力傳感器
5、 收集杯材質(zhì)(CUP)： PP，氣液分離排放 ，腔體底部?jī)A斜式曲面、廢液、排風(fēng)分離
6、 CUP自動(dòng)清洗功能： 有(與預(yù)清洗RINSE為同一管路)
7、 CUP結(jié)構(gòu)： 4層CUP，增加導(dǎo)流層
8、 電機(jī)漏液防護(hù)功能： 有
9、 光刻膠/顯影液過濾： 有，0.1um/0.2um可選；FFU可選配氨分子過濾裝置
10、 熱/冷處理單元： 可選升降過程可控的頂針結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)漸進(jìn)式加熱/冷卻過程
普通熱板溫控： 50.0—120.0℃；  ≤±0.6℃    
                       150.1—180.0℃； ≤±0.8℃
高精度熱板溫控：50.0—90.0℃；   ≤±0.5℃
                          90.1—120.0℃；  ≤±0.6℃
                         120.1—150.0℃； ≤±0.7℃
冷板溫控： 20.0—25.0℃；≤±0.1℃
11、HMDS:  可選，漸進(jìn)式加熱/降溫可選
12、光刻膠供應(yīng)： 采用高精度氣動(dòng)/電動(dòng)計(jì)量泵
13、顯影液供應(yīng)： 采用N2加壓
14、藥液溫控： 20℃~25℃  ±0.1℃； 水浴恒溫
15、滴膠精度：±0.1ml ；回吸精度：2±0.5mm；滴膠范圍：0.6-3ml
16、光刻膠膠嘴：數(shù)量≤3，粘度≤10000CP，可選配BARC。膠嘴自動(dòng)清洗/膠嘴保濕功能
17、預(yù)清洗膠嘴： RRC RINSE 1個(gè)
18、工作方式： 自動(dòng)供膠，自動(dòng)顯影，自動(dòng)取送片，連續(xù)傳片1000片無碎片
19、恒溫恒濕控制：可選精密溫濕度控制器   （THC）
20、邊緣曝光WEE單元：365（I-line）；照射范圍0.5~10mm；UV 照射：linear/ Round
21、與光刻機(jī)聯(lián)機(jī)：可選擇interface接口，與光刻機(jī)進(jìn)行聯(lián)機(jī)
22、顆粒度控制： 空跑運(yùn)行測(cè)試，新增顆?！?0顆（0.2um）
23、勻膠膜厚均勻性：Wafer ≤1% ； Wafer to Wafer≤1%  （Max-Min）/（2*均值）
24、顯影CD均勻性： within Wafer≤3%，Wafer to Wafer≤3% （Max-Min）/（2*均值）
應(yīng)用行業(yè)
廣泛服務(wù)于半導(dǎo)體、LED、封裝、MEMS、OLED、SAW、光通信、科研等領(lǐng)域