該設(shè)備為高真空電子束蒸鍍設(shè)備，即利用高能量密度的電子束轟擊被鍍材料，使其氣化并沉積在基片表面;此設(shè)備為在石英或其它材料表面沉積鎳鉻合金或其它單金屬、合金;設(shè)備由立式前開門水冷真空室、真空系統(tǒng)、工裝系統(tǒng)、電子束沉積系統(tǒng)、離子轟擊系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、測量及監(jiān)控系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)(機架、工藝氣路、壓空氣路、冷卻水路、附件)等組成。

　　性能參數(shù)：

　　1)沉積材料：CrNi合金(Cr80Ni20);

　　2)膜厚儀：分辨率0.01埃;

　　3)具備輝光放電功能：電壓3KV，功率600W，320mA，工作壓力2.0x10-2mbar;

　　4)膜層均勻性：±5%;

　　5)極限真空：8.0x10^-5pa;

　　6)本底真空：5x10^-4Pa，到達時間：≤30min ;

　　7)設(shè)備內(nèi)腔尺寸：Φ800x1000;

　　8)電子槍：Φ50X25，10KW，270°偏轉(zhuǎn);電子槍帶滅弧和可編程掃描功能;

　　9)工件轉(zhuǎn)架：工件可實現(xiàn)公自轉(zhuǎn)，雙層擺放沉積不同表面，微孔內(nèi)沉積深度由工件擺放角度決定;公轉(zhuǎn)速度：1-10rpm;

　　10)加熱溫度：max300℃，工作200℃;均勻性±2℃;

　　11)控制系統(tǒng)：PC+PLC，可自動、手動控制方式轉(zhuǎn)換，多種互鎖保護，具備多種參數(shù)顯示功能及工藝菜單儲存能力;