詳情介紹：
蝕刻裝置
干法蝕刻設(shè)備APIOS NE-950EX
量產(chǎn)的 LED 用干法蝕刻設(shè)備“NE-950EX"與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，生產(chǎn)率提高了 140%。它是配備ICP高密度等離子源和ULVAC開創(chuàng)星形電極的干法蝕刻設(shè)備。
特征
- 實現(xiàn)高生產(chǎn)率（與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比提高 140%）。
4英寸晶圓可以同時批處理7個晶圓，6英寸晶圓可以同時批處理3個晶圓。
29 個小直徑 2 英寸晶圓和 12 個 3 英寸晶圓是可能的。 - 配備了擁有超過 600 種化合物半導(dǎo)體的跟蹤記錄的磁場 ICP (ISM * 1) 高密度等離子體源。
- 實現(xiàn)高生產(chǎn)率（與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比提高 140%）。
* 1: ULVAC 磚利號 3188353 - 配備了 ULVAC *初開發(fā)的星形電極 *2，以防止 RF 輸入窗口上出現(xiàn)污垢。
- 實現(xiàn)高生產(chǎn)率（與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比提高 140%）。
* 2: ULVAC 磚利號 3492391 - 通過的倉庫措施實現(xiàn)了可維護性、長期穩(wěn)定性和可靠性的硬件。
- 工藝應(yīng)用豐富的干法刻蝕技術(shù)（GaN、藍寶石、各種金屬、ITO、SiC、AlN、ZnO、四元化合物半導(dǎo)體材料等）。
- 豐富的可選功能。
采用
- LED、藍寶石、各種金屬、ITO等用GaN的各種干法刻蝕。
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