設(shè)備特點(diǎn)
工藝流程
應(yīng)用范圍
設(shè)備適用于: | |
1 | 爐前清洗:擴(kuò)散前清洗。 |
2 | 光刻后清洗:除去光刻膠。 |
3 | 氧化前自動(dòng)清洗:氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。 |
4 | 拋光后自動(dòng)清洗:除去切、磨、拋的沾污。 |
5 | 外延前清洗:除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。 |
6 | 合金前、表面鈍化前清洗:除去鋁布線后,表面雜質(zhì)及光膠殘?jiān)?/div> |
7 | 離子注入后的清洗:除去光刻膠,SiO2層 |
8 | 擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗:除去預(yù)淀積時(shí)的BSG和PSG。 |
9 | 外延前清洗:除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。 |
10 | CVD后清洗:除去CVD過程中的顆粒。 |
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