HJ1200半橋SiC –MOSFET功率模塊的可靠導通范圍18V≤V_GS≤25V，可靠關斷范圍-10V≤V_GS≤-2V。它采用有熱沉塊的TO-253金屬全密封外殼封裝，五個引出端和外殼(散熱器)分別相互絕緣，使用方便。

  （SiC是一種的半導體的材質，它具有類似于金剛石的硬度、數倍于Si材質的禁帶寬度。載流子遷移速度、擊穿電壓、熱導率以及耐高溫特性均遠優(yōu)于傳統(tǒng)硅材質。用SiC材質制作的NMOS管在高溫、高壓、高頻、大功率、抗輻射、微波等領域得到廣泛應用。）

特點

• 耐壓高（≥1200V）              
• 耐高溫（+200℃）
• 導通電阻?。?/font>R_ON≤80mΩ）              
• 輸出電流大（≥15A）
• 柵源擊穿電壓高                        
• T_j≥200℃