、產(chǎn)品概述
      HDQH-18/200型SF6抽真空充氣回收凈化裝置具有回收、充放、凈化、抽真空、貯存、灌瓶等綜合性功能，功能齊全，各功能的串聯(lián)或切換主要通過(guò)操作集中于面板一側(cè)的電控箱和球閥來(lái)完成。設(shè)備的核心核件全部采用進(jìn)口：德國(guó)萊寶、法國(guó)美優(yōu)樂(lè)等。布局合理，結(jié)構(gòu)堅(jiān)固。是SF6設(shè)備的電力檢修工作者得力幫手。
二、工作原理
     1.回收裝置的基本工作原理是采用冷凍液化法。在回收時(shí)，利用壓縮機(jī)的抽吸性和壓縮性把SF6電器設(shè)備內(nèi)一定壓力的SF6氣體吸入壓縮機(jī)，并壓縮至某一較高的壓力。同時(shí)利用R22制冷劑的低蒸發(fā)溫度特性，將較高溫度的SF6氣體冷卻至冷凝溫度進(jìn)行液化、貯存。這樣連續(xù)抽吸至SF6壓縮機(jī)串聯(lián)運(yùn)行，直至達(dá)到回收終壓力。
    2.在充放時(shí)，首先利用本裝置的真空泵對(duì)SF6電器設(shè)備（或鋼瓶）和連接管路進(jìn)行抽真空，然后直接利用壓差或利用壓縮機(jī)的抽吸性并造成一定的壓差將裝置貯存容器內(nèi)的SF6充入SF6電器設(shè)備，直至達(dá)到所需的工作壓力。在需灌瓶時(shí)則同時(shí)利用如前所述的R22制冷劑的特性，將液化的SF6直接灌入鋼瓶。
    3.凈化功能是在完成上述回收、充放功能時(shí)同步完成的。
    4.系統(tǒng)中設(shè)置了三只油分離器，分別安裝在真空泵出口一只及壓縮機(jī)的出口二只，以有效去除SF6氣體所帶的油份。
    5.系統(tǒng)回路中設(shè)置了干燥過(guò)濾器，以保證進(jìn)入貯存容器的SF6的純度并有效去除水份。過(guò)濾器帶有加熱再生裝置，可在抽真空下加熱再生，分子篩從而能反復(fù)使用。
    6.系統(tǒng)中設(shè)有可靠的安全保護(hù)裝置，高壓壓力控制器安裝在SF6壓縮機(jī)排氣口，一旦排氣壓力超過(guò)限定值它會(huì)自動(dòng)停止壓縮機(jī)的工作，待壓力下降后再重新啟動(dòng)壓縮機(jī)；安全閥安裝在貯存容器上一旦超壓安全閥自動(dòng)打開(kāi)排放氣體，壓力下降后自動(dòng)關(guān)閉。
    7.另外，系統(tǒng)中還設(shè)置了監(jiān)視儀表和控制儀表共七只，其中真空計(jì)一只，安裝在裝置回收進(jìn)氣口，并在真空計(jì)前裝置了DN8閥門(mén)，需要觀察時(shí)打開(kāi)即可；壓力表六只，分別安裝在回收進(jìn)氣口、SF6壓縮機(jī)排氣口、冷凍壓縮機(jī)吸排氣口和貯存容器上；冷凍系統(tǒng)上設(shè)置了一只溫度計(jì)，利用溫包感應(yīng)SF6液體溫度。
    8.系統(tǒng)中真空泵的進(jìn)口處裝有電磁真空帶充氣閥，并與真空泵接在同一個(gè)電源上，當(dāng)泵停止工作時(shí)，閥能自動(dòng)將真空系統(tǒng)封閉，并將大氣通過(guò)泵的進(jìn)口充入泵腔，從而避免泵油逆流污染真空系統(tǒng)。
    9.系統(tǒng)中的冷凍系統(tǒng)由高低壓壓力控制器整定冷凍壓縮機(jī)的進(jìn)出口壓力。一旦超出限值范圍將自行切斷冷凍壓縮機(jī)的工作，低壓斷開(kāi)時(shí)待壓力回升或高壓斷開(kāi)時(shí)，待壓力回落后，再重新啟動(dòng)壓縮機(jī)。
    10.總體結(jié)構(gòu)，該裝置采用手推移動(dòng)式，可適應(yīng)室內(nèi)外正常環(huán)境條件下使用。本裝置系統(tǒng)比較復(fù)雜，由真空泵、SF6壓縮機(jī)、冷凍系統(tǒng)、貯存容器、管路、各種閥門(mén)、儀表及其他附件組成。
    11.電控箱、操作閥門(mén)和監(jiān)視儀表全部集中于一側(cè)面板且有流程指示，因而使用時(shí)方便明了。
三、技術(shù)參數(shù)

本款設(shè)備是武漢華頂電力設(shè)備有限公司為220kV、110kV電力檢修單位開(kāi)發(fā)的一套經(jīng)典配置，性能穩(wěn)定，性?xún)r(jià)比高，如需其它配置，
     

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選取及常規(guī)試驗(yàn)方法：因?yàn)榫群挽`敏度的原因，測(cè)變壓器和一般套管的介損時(shí)（包括電容式CT），應(yīng)采用HD6000A光導(dǎo)介損測(cè)試儀，而當(dāng)測(cè)試電容式PT電容量和tgδ時(shí)，可采用HD6000異頻介損測(cè)試儀，它介紹了CVT的中壓電容C ₂ 的測(cè)試方法，比較方便（自激法）。兩者的原理前者是通過(guò)比較內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)回路電流和被試品的電流的幅值及相互的相差，后者是電橋原理，離散傅立葉算法。一般接線形式主要有二種：正接法：適用于測(cè)量?jī)上鄬?duì)地絕緣的設(shè)備，測(cè)試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等；反接法：適用于測(cè)量一級(jí)接地的設(shè)備，儀器的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式CT的末屏tgδ等。另外還有自激法，對(duì)角接線等，不同的試驗(yàn)設(shè)備均有不同的接線形式，取決于現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。

需要說(shuō)明的是現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)時(shí)要?jiǎng)?chuàng)造條件，力求測(cè)試精度，如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測(cè)試必須要用正接法，應(yīng)要求安裝單位制作測(cè)試平臺(tái)，以達(dá)到兩極絕緣的條件。

對(duì)于CVT中壓電容的tgδ測(cè)試，應(yīng)充分理解儀器的操作程序，按照其說(shuō)明，操作規(guī)程進(jìn)行試驗(yàn)。

交接規(guī)程的一般要求及條款：電力變壓器：當(dāng)電壓等級(jí)為35KV及以上，且容量在8000KVA以上時(shí)，應(yīng)測(cè)試tgδ，其tgδ值不應(yīng)大于產(chǎn)品出廠試驗(yàn)值的130%，對(duì)于300MW或600MW機(jī)組的廠高變，一般未達(dá)到上述要求，交接試驗(yàn)可不作；但一般廠家出廠試驗(yàn)均有該項(xiàng)目的數(shù)據(jù)，為充分體現(xiàn)對(duì)用戶(hù)負(fù)責(zé)的思想，建議測(cè)試以便比較，但不出試驗(yàn)報(bào)告。互感器：規(guī)定了20℃下電流互感器（油紙電容式）的tgδ，220KV≤0.6%，330KV≤0.5，500KV≤0.5。其電容與銘牌差值應(yīng)在±10%之內(nèi)，只針對(duì)主絕緣。而電壓互感器只規(guī)定了35KV及以上油浸式的tgδ值，35KV的20℃時(shí)≤3.5%，35KV以上的不應(yīng)大于出廠值的130%。套管：現(xiàn)場(chǎng)一般有油紙電容式，20-500KV下，tgδ≤0.7%，電容差值在±10%范圍內(nèi)。說(shuō)明一點(diǎn)，不管電容式CT還是電容式套管，都會(huì)有末屏，應(yīng)在測(cè)主絕緣tgδ之前進(jìn)行末屏的測(cè)絕緣，用2500V搖表，應(yīng)大于1000MΩ，有的出廠試驗(yàn)也有末屏tgδ值，因此絕緣達(dá)不到要求時(shí)，應(yīng)測(cè)tgδ以便比較，但是試驗(yàn)電壓應(yīng)控制在2KV。

另外，tgδ值都規(guī)定了相應(yīng)的溫度值，是因?yàn)闇囟葘?duì)tgδ值的影響較大，一般隨著溫度上升，tgδ值也增大，因此規(guī)定了溫度換算，一般應(yīng)校正到20℃時(shí)進(jìn)行與廠家試驗(yàn)數(shù)據(jù)的比較，換算公式為：

1. 1. 環(huán)境溫度高于20℃時(shí)，tgδ₂₀ = tgδ_t / A
   2. 環(huán)境溫度低于20℃時(shí)，tgδ₂₀ = tgδ_t * A

A：與20℃溫差值不同的換算系數(shù)，見(jiàn)規(guī)程。

一般操作步驟和注意事項(xiàng)：按常規(guī)的HD6000的操作規(guī)程與相應(yīng)的作業(yè)指導(dǎo)書(shū)相關(guān)條款進(jìn)行操作。試驗(yàn)應(yīng)良好的天氣、環(huán)境溫度不低于5℃和濕度不大于80%的條件下進(jìn)行，測(cè)試前應(yīng)測(cè)量被試品各電極間的絕緣電阻，必要時(shí)對(duì)小套管進(jìn)行清潔和干燥處理。

接地必須牢靠，符合“安規(guī)”中高壓試驗(yàn)的廈門(mén)市SF6抽真空充氣回收凈化裝置品質(zhì)保障廈門(mén)市SF6抽真空充氣回收凈化裝置品質(zhì)保障條款規(guī)定，正接法時(shí)低壓側(cè)的引線也應(yīng)有絕緣要求，不得與外殼接觸。

對(duì)于試驗(yàn)電壓的大小，前面提到P = U² ωC tgδ，P與電壓有關(guān)，良好絕緣的tgδ不會(huì)隨電壓的升高而明顯增加，但若有內(nèi)部缺陷時(shí)則tgδ會(huì)隨電壓的升高而明顯增加。因此對(duì)于試驗(yàn)電壓一般為10KV，但對(duì)于電容式套管或CT的末屏