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當(dāng)前位置:邁可諾技術(shù)有限公司>>橢偏儀>> SE200/SE300/SE350/SE500光譜橢偏儀 DUV-VIS-NIR

光譜橢偏儀 DUV-VIS-NIR

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產(chǎn)品型號(hào)SE200/SE300/SE350/SE500

品       牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地北京市

更新時(shí)間:2022-05-13 23:20:02瀏覽次數(shù):16次

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光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長(zhǎng)范圍。DUV范圍可用于測(cè)量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當(dāng)用戶(hù)需要測(cè)量許多材料的帶隙時(shí),深紫外光譜橢偏儀也是*的。可見(jiàn)或近紅外范圍用于測(cè)量相對(duì)厚或非常厚的涂層。

光譜橢偏儀可配置從DUVNIR的波長(zhǎng)范圍。DUV范圍可用于測(cè)量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約12nm厚。當(dāng)用戶(hù)需要測(cè)量許多材料的帶隙時(shí),深紫外光譜橢偏儀也是*的??梢?jiàn)或近紅外范圍用于測(cè)量相對(duì)厚或非常厚的涂層。當(dāng)然,如果必須確定光學(xué)常數(shù),則應(yīng)將工具的波長(zhǎng)范圍配置為該范圍。其他配置,如波長(zhǎng)分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應(yīng)用進(jìn)行考慮。

 

光譜橢偏儀特征:

•基于Window軟件,易于操作;

•*的光學(xué)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能;

•高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應(yīng)用;

•基于陣列的探測(cè)器系統(tǒng),確??焖贉y(cè)量;

•用戶(hù)可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;

•能夠用于實(shí)時(shí)或在線(xiàn)厚度,折射率監(jiān)測(cè);

•系統(tǒng)配有全面的光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù);

•高級(jí)TFProbe 3.3.X軟件允許用戶(hù)對(duì)每個(gè)膠片使用NK表,色散或有效介質(zhì)近似(EMA);

•三種不同的用戶(hù)級(jí)別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務(wù)模式和簡(jiǎn)易用戶(hù)模式;

•靈活的工程模式,適用于各種配方設(shè)置和光學(xué)模型測(cè)試;

•強(qiáng)大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測(cè)量;

•可按照用戶(hù)偏好配置測(cè)量參數(shù),操作簡(jiǎn)便;

•系統(tǒng)全自動(dòng)校準(zhǔn)和初始化;

•直接從樣品信號(hào)獲得精確的樣品對(duì)齊接口,無(wú)需外部光學(xué)元件;

•精確的高度和傾斜程度調(diào)整;

•適用于許多不同類(lèi)型的不同厚度的基材;

•各種選項(xiàng),附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長(zhǎng)擴(kuò)展,焦點(diǎn)等;

2D3D輸出圖形以及用戶(hù)數(shù)據(jù)管理界面;

 

光譜橢偏儀應(yīng)用:

•半導(dǎo)體制造(PR,氧化物,氮化物......

•液晶顯示器(ITO,PR,Cell gap ......

•法醫(yī)學(xué),生物學(xué)材料

•油墨,礦物學(xué),顏料,調(diào)色劑

•制藥,醫(yī)療器械

•光學(xué)涂層,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......

•半導(dǎo)體化合物

MEMS / MOEMS中的功能薄膜

•無(wú)定形,納米和硅晶圓

•太陽(yáng)能電池薄膜,CdTe,CdS,CIGS,AZO,CZTS ....

光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù):

            型號(hào) SE200 (DUV-Vis)  SE300 (Vis)  SE450 (Vis-Nir) SE500 (DUV-Vis-Nir)
探測(cè)器類(lèi)型CCDCMOS陣列CCDCMOS陣列CCDCMOSInGaAs陣列CCDCMOSInGaAs陣列
波長(zhǎng)范圍(nm19011003701100370-1700190-1700
波長(zhǎng)點(diǎn)測(cè)量波長(zhǎng)范圍和波長(zhǎng)數(shù)據(jù)點(diǎn)均在用戶(hù)配方中自定義(數(shù)據(jù)點(diǎn)僅受分辨率限制)
波長(zhǎng)分辨率0.01 -3nm0.01 -3nm0.013nm0.013nm
數(shù)據(jù)采集??時(shí)間100毫秒到10秒,用戶(hù)自定義
入射角范圍2090

 

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