OTF-1200X-III-HPCVD-SE 1200℃三溫區(qū)HPCVD系統(tǒng) 返回列表頁

● 的原料推進系統(tǒng)可在真空或氣氛保護環(huán)境下同時/依次推進3種原料進入到管式爐中（并可實時監(jiān)測其溫度），溫度可控型原位蒸發(fā)槍，溫度可達1350℃，適合用HPCVD法生長多層膜。
● 爐體為三溫區(qū)開啟式管式爐，由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制每個溫區(qū)，其控溫精度可達±0.1℃ 。
● 雙層殼體結構，并帶有風冷系統(tǒng)，保證爐體表面溫度低于60℃ 。
● 采用氧化鋁纖維作為爐膛材料，表面涂有高溫氧化鋁涂層，可提高加熱效率，和延長使用壽命 。
● 爐體開啟式設計，便于跟換爐管，并且?guī)в虚_啟斷電功能，保證操作安全。

● 單相208~240VAC
● 功率9KW（需60A的空氣開關）

● 三個加熱區(qū)，每個加熱區(qū)長度：300mm
● 總加熱區(qū)長度：900mm

恒溫區(qū)長度：625mm(±2℃）

● 工作溫度：1200℃（<1hr）
●連續(xù)工作溫度：100~1100℃

≤ 10°C /min

● 的原料推進系統(tǒng)可在真空或氣氛保護環(huán)境下同時/依次推進3種原料進入到管式爐中（并可實時監(jiān)測其溫度），利用推送系統(tǒng)可將3個不同蒸發(fā)源同時/依次送入3個獨立的小石英管中，精確地找到所需溫度，保證實驗精確性和重復性
● 蒸發(fā)槍：采用鎢線圈加熱，氧化鋁坩堝裝料，其溫度可達1350℃，控溫精度±1℃

● 坩堝的移動速度和移動距離通過步進電機驅動，可設定控制
● 移動距離: 530mm （精度1mm）

● 特殊設計樣品臺，帶有手動遮擋板，放置原料交替試導致所制備樣品污染
● 可手動調節(jié)樣品臺在爐管中的位置
● 可選擇水平樣品臺，或傾斜式樣品臺

● 三個溫區(qū)由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制，采用PID方式調節(jié)溫度，可設置30段升降溫程序
● 歐陸儀表控制，控溫精度可達±0.1℃
● 帶有超溫和斷偶報警
● 三個K型熱偶（每個溫區(qū)1個）

● 爐管，采用高純石英管，尺寸為Φ130（外）mm×Φ122（內）mm×1200mm（長）
● 配有2個氧化鋁管堵，防止熱輻射（加熱前管堵必須放入到爐管內）
● 可選購石英管堵，保證反應環(huán)境潔凈

● 防腐型復合真空計（皮拉尼和隔膜規(guī)）
● 測量范圍：3.8E-5 ~ 1125 torr

● 真空度：10E-2 torr（采用機械泵），10-E5 torr(采用分子泵)

可在本公司選用各種真空泵

配有4通道氣體流量控制系統(tǒng)，采用觸摸屏設定參數(shù)

設備采用水冷不銹鋼密封法蘭，所以配有循環(huán)水冷機

4000×600×1500m

名稱：一種小型熱等靜壓爐裝置
編號：ZL-2015-1-0417026.0
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● CE認證
● 所有電器元件（≧24V）都通過了UL/MET/CSA認證