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新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐(LFZ)
Laser Floating Zone Crystal Furnace (LFZ)
產(chǎn)品簡介
Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的*設(shè)計(jì)理念,新一代高性能激光浮區(qū)爐(型號:LFZ-2kW)具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,將浮區(qū)法晶體生長技術(shù)推向一個(gè)全新的高度!
應(yīng)用領(lǐng)域
可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。
激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作,跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比,Quantum Design公司推出的新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)優(yōu)勢:
? 采用全新五束激光設(shè)計(jì),確保熔區(qū)能量分布更加均勻
? 更加科學(xué)的激光光斑優(yōu)化方案,有助于降低晶體生長過程中的熱應(yīng)力
? 采用了*的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)
RIKEN(CEMS)設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物
新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù):
加熱控制 | 加熱類型 | 5束激光 |
激光功率 | 2KW | |
熔區(qū)高溫: | 2700℃~3000℃* | |
測溫范圍 | 1000℃~2700℃ | |
溫度穩(wěn)定性 | +/-1℃ | |
晶體生長控制 | 晶體生長大設(shè)計(jì)長度 | 150mm* |
晶體生長大設(shè)計(jì)直徑 | 8mm* | |
晶體生長大速度/轉(zhuǎn)速 | 300mm/hr; 100rpm | |
樣品腔可施加大壓力 | 10bar | |
樣品腔氣氛 | 多種氣路(O2/Ar/混合氣)可供選配 | |
晶體生長監(jiān)控 | 高清攝像頭 | |
晶體生長控制 | PC控制 |
*具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件
采用新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長出的部分單晶體應(yīng)用案例:
* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
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