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新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號LFZ-2KW

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

更新時(shí)間:2021-12-20 07:10:01瀏覽次數(shù):35次

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新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。

新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐(LFZ)
Laser Floating Zone Crystal Furnace (LFZ) 


產(chǎn)品簡介

    Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的*設(shè)計(jì)理念,新一代高性能激光浮區(qū)爐(型號:LFZ-2kW)具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,將浮區(qū)法晶體生長技術(shù)推向一個(gè)全新的高度!

應(yīng)用領(lǐng)域

    可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。

    激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作,跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比,Quantum Design公司推出的新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)優(yōu)勢:

?  采用全新五束激光設(shè)計(jì),確保熔區(qū)能量分布更加均勻 

?  更加科學(xué)的激光光斑優(yōu)化方案,有助于降低晶體生長過程中的熱應(yīng)力

?  采用了*的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)

 

RIKEN(CEMS)設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物


新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù): 

加熱控制

加熱類型

5束激光

激光功率

2KW

熔區(qū)高溫:

2700~3000℃*

測溫范圍

1000℃~2700℃

溫度穩(wěn)定性

+/-1℃

晶體生長控制

晶體生長大設(shè)計(jì)長度

150mm*

晶體生長大設(shè)計(jì)直徑

8mm*

晶體生長大速度/轉(zhuǎn)速

300mm/hr; 100rpm

樣品腔可施加大壓力

10bar

樣品腔氣氛

多種氣路(O2/Ar/混合氣)可供選配

晶體生長監(jiān)控

高清攝像頭

晶體生長控制

PC控制

*具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件

采用新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長出的部分單晶體應(yīng)用案例:

 

 

 * 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供

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