IGB中頻電爐

IGB中頻電爐技術(shù)優(yōu)勢:

●恒功率輸出確保電源變壓器可利用容量利用99%利用 ●功率因數(shù)始終大于0.95，無須配備繁雜的補償系統(tǒng) ●與可控硅電爐相比可以節(jié)電10%-20% ●無高次諧波干擾，對電網(wǎng)無污染 ●信號采用光纖傳輸，抗力強 ●采用數(shù)字鎖相技術(shù)，頻率穩(wěn)定度高 ●多重保護功能（雙重死區(qū)保護，IGB保護及過流、過壓、超溫、斷水等各項保護） ●工作頻率范圍寬，廣泛用于熔煉、透熱、淬火等熱處理工藝 ●采用PLC智能控制，運行參數(shù)可事先預(yù)置 ●可實現(xiàn)編程運行模式，實現(xiàn)全自動運行 ●全封閉內(nèi)循環(huán)水冷系統(tǒng)，確保設(shè)備安全。 ●實時多點溫度控制及自動巡回檢測，消除器件過熱隱患。 ●可初現(xiàn)操作容錯功能，用戶錯誤操作不會對設(shè)備造成損壞 ●采用優(yōu)秀的多頻點預(yù)置技術(shù)具有99%的成功啟動率。

IGB中頻電爐介紹 　　(1)IGB中頻爐是一種采用串聯(lián)諧振式的中頻感應(yīng)熔煉爐，它的逆變器件為一種新型IGB模塊（絕緣柵雙極型晶體管，德國生產(chǎn)），它可用于熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬。它具有熔化速度快、節(jié)能、高次諧波污染低等優(yōu)點。 　　(2)IGB中頻爐為一種恒功率輸出電源，加少量料即可達(dá)到滿功率輸出，并且始終保持不變，所以熔化速度快；因逆變部分采用串聯(lián)諧振，且逆變電壓高，所以IGB中頻比普通可控硅中頻節(jié)能；IGB中頻采用調(diào)頻調(diào)功，整流部分采用全橋整流，電感和電容濾波，且一直工作在500V，所以IGB中頻產(chǎn)生高次諧波小，對電網(wǎng)產(chǎn)生污染工低。 　　(3)節(jié)能型IGB晶體管中頻爐比傳統(tǒng)可控硅中頻爐可節(jié)能15%-25%,節(jié)能的主要原因有以下幾下方面： a.逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節(jié)能15%左右，節(jié)能型IGB晶體管中頻爐逆變電壓為2800V，而傳統(tǒng)可控硅中頻爐逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大大降低。 b.功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.98，無功損耗小，此部分比可控硅中頻爐節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGB晶體管中頻爐采用了半可控整流方式，整流部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角，所以整個工作過程功率因數(shù)始終大于0.98，無功率損耗小。 爐品熱損失小，由于節(jié)能型IGB晶體管中頻爐比同等功率可控硅中頻爐一爐可快15分鐘左右，15分鐘的時間內(nèi)爐口損失的熱量可占整個過程的3%，所以此部分比可控硅中頻可節(jié)能3%左右。 　　(4)高次諧波干擾：高次諧波主要來自整流部分調(diào)壓時可控硅產(chǎn)生的毛刺電壓，會嚴(yán)重污染電網(wǎng)，導(dǎo)致其他設(shè)備無法正常工作，而節(jié)能型IGB晶體管中頻爐的整流部分采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在zui高，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它不會產(chǎn)生高次諧波，不會污染電網(wǎng)、變壓器，開關(guān)不發(fā)熱，不會干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運行。 　　(5)恒功率輸出：可控硅中頻爐采用調(diào)壓調(diào)功，而節(jié)能型IGB晶體管中頻爐采用調(diào)頻調(diào)功，它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個熔煉過程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時，更顯示它的*性，熔化速度快，爐料元素?zé)龘p少，降低鑄造成本。

IGB中頻電爐技術(shù)數(shù)據(jù)

ＩＧＢＴ中頻電爐技術(shù)參數(shù)

IGB中頻電爐：253

技術(shù)支持：

我廠為某汽車設(shè)計制造廠的第四批節(jié)能IGB中頻電爐成套設(shè)備順利發(fā)貨。

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