射頻輝光放電光譜儀GD-OES
射頻輝光放電光譜儀可以檢測導體、非導體、半導體薄/厚膜中70多種元素隨鍍層結構和深度的變化。射頻輝光放電光譜儀的分析速度達-10 nm/s，可檢測元素濃度范圍從ppm到1，深度分辨率小于1 nm。操作簡單，無需制樣，還可為SEM制備樣品。常用于鍍層結構、層間元素擴散、表面處理等研究。
射頻輝光放電光譜儀的典型應用：LED外延片、太陽能電池、半導體芯片、滲氮滲碳、鋼鐵、腐蝕等多個領域
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