(瞬態(tài)平面熱源法,Hot Disk法導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀)
一、概述：
本儀器采用瞬態(tài)平面熱源法，基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術(shù)，用Hot Disk探頭。該儀器的優(yōu)點(diǎn)有：
(1)直接測(cè)量熱傳播，可以節(jié)約大量的時(shí)間；
(2)不會(huì)和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響；
(3)無(wú)須特別的樣品制備，對(duì)固態(tài)材料只需有一個(gè)相對(duì)平整的樣品表面。不同類(lèi)型的材料采用不同的測(cè)試方案及計(jì)算數(shù)學(xué)模型，具有測(cè)量速度快、適用范圍寬及能夠成功避免在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中自然對(duì)流的影響等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)際測(cè)試材料范圍廣，導(dǎo)熱系數(shù)范圍寬，試樣處理簡(jiǎn)單，測(cè)試速度快的優(yōu)點(diǎn)，是目前比較流行的測(cè)試方法。
設(shè)備參考標(biāo)準(zhǔn)：ISO 22007-2:2008, GB/T32064-2015 。
測(cè)試材料: 金屬、合金、石墨、導(dǎo)熱硅脂、硅膠、硅橡膠、陶瓷、巖土、巖石、聚合物、紙、織物、泡沫塑料、混凝土、復(fù)合板材、紙蜂窩板等固體、粉末、液體、糊狀、涂層、薄膜、保溫材料、絕熱材料、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)、導(dǎo)溫系數(shù)（熱擴(kuò)散系數(shù)）和比熱容、蓄熱系數(shù)及熱阻。
二、主要技術(shù)參數(shù)：
1.導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定范圍：0.001～500 w/(m.k),分辯率為0.0001w/(m.k)；
2.熱擴(kuò)散系數(shù)（導(dǎo)溫系數(shù)）范圍：0.1～100 m2/s；
3.蓄熱系數(shù)范圍：0.1～30 w/(m2.k)；
4.比熱容范圍：0.1～5 kJ/(kg.℃)；
5.熱阻范圍：0.5～0.000005 mm2.k/w；
6.溫度測(cè)量精度：≤0.001℃；
7.測(cè)量相對(duì)誤差：≤3%；
8.重復(fù)性誤差：≤ 3%；
9.測(cè)試時(shí)間：1～120 秒。
10.試樣測(cè)試環(huán)境溫度范圍：-40～150℃；標(biāo)準(zhǔn)配置：室溫。
可根據(jù)客戶(hù)要求選配各種高、低溫度段控制箱(-40～150℃)或真空狀態(tài)下的測(cè)試狀態(tài),合同約定，費(fèi)用另計(jì)；
11.探頭配置：標(biāo)準(zhǔn)配置：直徑Φ15mm。
可根據(jù)客戶(hù)要求選配探頭直徑：Φ30nn, Φ15mm,Φ7.5mm或同時(shí)配置，合同約定，費(fèi)用另計(jì)；
12. 測(cè)試試樣要求：
a、固體塊狀或圓形、方形、異形樣品，無(wú)須特別制備，只需一個(gè)相對(duì)平整的樣品表面,配有專(zhuān)用試樣裝夾裝置。
b、對(duì)粉狀、糊狀、液狀物質(zhì)無(wú)特殊要求,配有專(zhuān)用試樣測(cè)試盒。
c、所測(cè)較薄材料,專(zhuān)用測(cè)試方案與數(shù)學(xué)模型進(jìn)行測(cè)試。
d、高導(dǎo)與絕熱材料,專(zhuān)用測(cè)試方案與數(shù)學(xué)模型進(jìn)行測(cè)試。
13.采用全自動(dòng)測(cè)試軟件，快速準(zhǔn)確對(duì)樣品進(jìn)行試驗(yàn)過(guò)程參數(shù)分析和報(bào)告輸出。
14.電源：AC 220V±10%，50/60 Hz, 整機(jī)功率：＜500w；
三、探頭技術(shù)指標(biāo)：
1. 加熱材料：金屬鎳；
2. 使用溫度：-50～150℃；
3. 功率：20w；
4. 電壓：20V；
5. 電流：1A；
6. 電阻：10Ω左右，依探頭上標(biāo)注阻值為準(zhǔn)；
7. 鎳絲規(guī)格：厚度0.01mm,熱絲寬度：0.35±0.03mm；
熱絲間距：0.35±0.03mm ；
8. 保護(hù)層材料：聚酰亞胺薄膜（Kapton）；單層厚度：0.06mm；
9. 探頭直徑：Φ30mm,Φ15mm,Φ7.5mm。
10.探頭總厚度（包括粘結(jié)層厚度）0.07±0.02mm。
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