技術(shù)參數(shù) | ·晶體結(jié)構(gòu):六方晶系 ·晶格常數(shù):a=0.3246nm,c=2.5195nm ·生長方法:提拉法 主要襯底材料與GaN及ZnO的晶格失配率:
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產(chǎn)品規(guī)格: | ·常規(guī)晶向: ·常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm、5x5x0.5mm ·表面粗糙度:<> 注:尺寸可按照客戶要求定做。 | |||||||||||||||||||||
晶體缺陷 | 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷 | |||||||||||||||||||||
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝 |
鋁酸鎂鈧(ScMgAlO4)
產(chǎn)品二維碼參 考 價: | 面議 |
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