臺積電2nm工藝實際表現提升有限 三星2025年趕超機會有望到來
2nm工藝的難度顯然成了一個挑戰(zhàn)，這讓臺積電未來的密度提升越來越難，不過對競爭對手來說，臺積電這次的擠牙膏讓他們竊喜，有了追趕的機會。- 2022-06-22 10:06:49 96
- 臺積電2nm工藝
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臺積電1nm取得重要進展：硅芯片的物理極限有辦法了
導讀：前不久，IBM公布了2nm技術路線，讓人倍感振奮。雖然摩爾定律速度放緩，但硅晶片微縮的前景依然廣闊。
前不久，IBM公布了2nm技術路線，讓人倍感振奮。雖然摩爾定律速度放緩，但硅晶片微縮的前景依然廣闊。
不過，2nm之后就是1.5nm、1nm，硅片觸及物理極限。
日前，臺大、臺積電和麻省理工共同發(fā)布研究成果，首度提出利用半金屬Bi作為二維材料的接觸電極。它可以大幅降降低電阻并提高電流，使其效能媲美硅材料，有助于半導體行業(yè)應對未來1納米世代的挑戰(zhàn)。
論文中寫道，目前硅基半導體已經推進到5nm和3nm，單位面積容納的晶體管數量逼近硅材料物理極限，效能無法逐年顯著提升。此前，二維材料被業(yè)內寄予厚望，卻始終掣肘于高電阻、低電流等問題。
此次三方合作中，麻省理工是半金屬鉍電極發(fā)現者，臺積電將鉍(Bi)沉積制程進行優(yōu)化，臺大團隊運用氦離子束微影系統(tǒng)(Helium-ion beam lithography)將元件通道成功縮小至納米尺寸，終于大功告成，耗時長達一年半的時間。
4月下旬的時候臺積電更新了其制程工藝路線圖，稱其4納米工藝芯片將在2021年底進入“風險生產”階段，并于2022年實現量產；3納米產品預計在2022年下半年投產，2納米工藝正在開發(fā)中。
原標題：臺積電1nm取得重要進展：硅芯片的物理極限有辦法了
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