移動端


當(dāng)前位置:興旺寶>資訊首頁> 時事聚焦
閱讀排行 更多
企業(yè)直播 更多
推薦展會 更多

臺積電3nm工藝工廠進(jìn)展順利 將在三季度開始風(fēng)險試產(chǎn)

2021-05-26 15:53:40來源:Techweb 閱讀量:126 評論

分享:

導(dǎo)讀:5月26日消息,據(jù)國外媒體報道,在5nm制程工藝大規(guī)模量產(chǎn)超過1年后,芯片代工商臺積電更先進(jìn)的3nm工藝的量產(chǎn)事宜,也就成了關(guān)注的焦點。

  5月26日消息,據(jù)國外媒體報道,在5nm制程工藝大規(guī)模量產(chǎn)超過1年后,芯片代工商臺積電更先進(jìn)的3nm工藝的量產(chǎn)事宜,也就成了關(guān)注的焦點。
 
  外媒最新的報道顯示,臺積電將采用3nm制程工藝代工芯片的新工廠,建設(shè)進(jìn)展順利,并未受到影響。
 
  外媒在報道中還提到,臺積電的3nm制程工藝,在三季度就將開始風(fēng)險試產(chǎn),這符合臺積電CEO魏哲家此前在財報分析師電話會議上透露的量產(chǎn)時間。在最近幾個季度的財報分析師電話會議上,魏哲家均透露3nm工藝將在今年下半年風(fēng)險試產(chǎn)。
 
  在最近幾次的財報分析師電話會議上,魏哲家還透露,他們3nm制程工藝的研發(fā),在按計劃推進(jìn)。同5nm工藝相比,3nm工藝將使晶體管的理論密度提升70%,性能提升15%,能耗降低30%。
 
  按臺積電方面的計劃,他們的3nm制程工藝,將在2022年大規(guī)模量產(chǎn)。
 
  臺積電3nm芯片工廠的建設(shè),在2017年就已開始謀劃,當(dāng)時創(chuàng)始人張忠謀還未退休。他在當(dāng)年10月份的一次采訪中透露,保守估計,3nm工廠的建設(shè)將花費(fèi)150億美元,可能達(dá)到200億美元。
 
  原標(biāo)題:臺積電3nm工藝工廠進(jìn)展順利 將在三季度開始風(fēng)險試產(chǎn)
版權(quán)與免責(zé)聲明:1.凡本網(wǎng)注明“來源:興旺寶裝備總站”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-興旺寶合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:興旺寶裝備總站”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。 2.本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來源(非興旺寶裝備總站)的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或和對其真實性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。 3.如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
我來評論

昵稱 驗證碼

文明上網(wǎng),理性發(fā)言。(您還可以輸入200個字符)

所有評論僅代表網(wǎng)友意見,與本站立場無關(guān)

    相關(guān)新聞
    • 臺積電2nm工藝實際表現(xiàn)提升有限 三星2025年趕超機(jī)會有望到來

      2nm工藝的難度顯然成了一個挑戰(zhàn),這讓臺積電未來的密度提升越來越難,不過對競爭對手來說,臺積電這次的擠牙膏讓他們竊喜,有了追趕的機(jī)會。
      2022-06-22 10:06:49    95
      臺積電2nm工藝
    • 外媒稱臺積電有意在意大利建廠 投資100億歐元

      作為當(dāng)前全球最大的晶圓代工商,臺積電的晶圓廠主要集中在亞洲,除了在美國已經(jīng)投入運(yùn)營的晶圓十一廠和正在亞利桑那州建設(shè)的晶圓廠,余下晶圓廠全部在亞洲,4座后段封測工廠,也均在亞洲。
      2022-06-09 10:01:41    106
      臺積電晶圓代工商
    • “芯片之爭”再打響?臺積電砸千億擴(kuò)大2nm產(chǎn)能

      據(jù)說,臺積電在2nm制程上帶來了不少新科技,諸如Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)、高遷移率組件(High mobility channel)和全新的2D材料、CNT等。針對2D材料,臺積電宣稱已挖掘到石墨烯之外的新材料,可以逐漸用在晶體管上。
      2022-06-09 10:00:10    116
      臺積電2nm產(chǎn)能